晶體管

型號	描述	庫存
2N4449UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/317 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 400nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 1V 功率-最大: 360mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: UB	庫存4,356
2N4854U Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN/PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,848
2N4864 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,104
2N4865 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,812
2N4870 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存8,586
2N4871 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,984
2N4895 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V TO39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 2A, 2V 功率-最大: - 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存3,726
2N4898 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,482
2N4899 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,380
2N4900 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,734
2N4901 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,736
2N4903 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,154
2N4905 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,392
2N4906 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,020
2N4910 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,668
2N4911 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,520
2N4913 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,446
2N4914 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,262
2N4916 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR PNP TO-106 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 1V 功率-最大: - 頻率-過渡: 400MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-106-3 Domed 供應商設備包裝: TO-106	庫存5,220
2N4918 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 1A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存5,742
2N4918 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126	庫存6,192
2N4918G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 1A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存9,396
2N4919 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 1A TO-225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存4,824
2N4919G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 1A TO-225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存8,766
2N4920G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存8,532
2N4921 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 1A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存3,510
2N4921G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 1A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存7,776
2N4922G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 1A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存16,494
2N4923 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 1A SOT-32 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: -	庫存2,826
2N4923 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 1A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V 功率-最大: 30W 頻率-過渡: 3MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存8,478

2N4449UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/317
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 400nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 1V
功率-最大: 360mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: -
供應商設備包裝: UB

庫存4,356

2N4854U

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN/PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,848

2N4864

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,104

2N4865

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,812

2N4870

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存8,586

2N4871

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,984

2N4895

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V TO39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 2A, 2V
功率-最大: -
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存3,726

2N4898

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,482

2N4899

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,380

2N4900

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,734

2N4901

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,736

2N4903

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,154

2N4905

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,392

2N4906

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,020

2N4910

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,668

2N4911

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,520

2N4913

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,446

2N4914

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,262

2N4916

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR PNP TO-106

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 1V
功率-最大: -
頻率-過渡: 400MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-106-3 Domed
供應商設備包裝: TO-106

庫存5,220

2N4918

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 1A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存5,742

2N4918

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126

庫存6,192

2N4918G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 1A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存9,396

2N4919

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 1A TO-225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存4,824

2N4919G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 1A TO-225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存8,766

2N4920G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存8,532

2N4921

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 1A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存3,510

2N4921G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 1A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存7,776

2N4922G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 1A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存16,494

2N4923

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A SOT-32

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: -

庫存2,826

2N4923

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
功率-最大: 30W
頻率-過渡: 3MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存8,478

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