晶體管

型號	描述	庫存
SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存6,480
SI7384DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存4,374
SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存48,054
SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存26,928
SI7388DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,130
SI7388DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存8,730
SI7390DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,634
SI7390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存7,596
SI7392ADP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1465pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 27.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存3,528
SI7392ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1465pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 27.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,292
SI7392DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.75mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,796
SI7392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.75mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存3,492
SI7402DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存5,832
SI7402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存4,500
SI7403BDN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 74mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 9.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存8,298
SI7403BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 74mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 9.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存2,988
SI7404DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 13.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存5,724
SI7404DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 13.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存8,352
SI7405BDN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 13.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存7,326
SI7405BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 13.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存6,354
SI7407DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存5,598
SI7407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存2,412
SI7409ADN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存3,474
SI7409ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存5,490
SI7411DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 11.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存7,272
SI7411DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 11.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存2,016
SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 13.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存5,004
SI7413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 13.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存4,500
SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存231,192
SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存275,184

SI7384DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存6,480

SI7384DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存4,374

SI7386DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存48,054

SI7386DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存26,928

SI7388DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,130

SI7388DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存8,730

SI7390DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,634

SI7390DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存7,596

SI7392ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1465pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 27.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存3,528

SI7392ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1465pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 27.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,292

SI7392DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,796

SI7392DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存3,492

SI7402DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存5,832

SI7402DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 850mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存4,500

SI7403BDN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 74mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存8,298

SI7403BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 74mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存2,988

SI7404DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 13.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存5,724

SI7404DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 13.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存8,352

SI7405BDN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存7,326

SI7405BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存6,354

SI7407DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存5,598

SI7407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存2,412

SI7409ADN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存3,474

SI7409ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存5,490

SI7411DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 11.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存7,272

SI7411DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 11.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存2,016

SI7413DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 13.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存5,004

SI7413DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 13.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 400µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存4,500

SI7414DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存231,192

SI7414DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存275,184

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