晶體管

型號	描述	庫存
SI7315DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存43,524
SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存26,046
SI7322ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: ThunderFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 26W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存2,916
SI7322DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存8,208
SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存328,392
SI7326DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存6,768
SI7326DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存6,048
SI7328DN-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 18.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2610pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.78W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存2,196
SI7328DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 18.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2610pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.78W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存7,596
SI7336ADP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存111,948
SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存322,164
SI7342DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.25mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,790
SI7344DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存6,012
SI7356ADP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6215pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,934
SI7356ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6215pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存7,812
SI7358ADP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,988
SI7358ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存3,726
SI7366DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存7,488
SI7366DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存8,496
SI7368DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存4,662
SI7368DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存3,888
SI7370ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,148
SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存81,732
SI7370DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存26,694
SI7374DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 23.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 56W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存3,294
SI7374DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 23.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 56W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,448
SI7380ADP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7785pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存6,750
SI7380ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7785pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存8,136
SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存4,230
SI7382DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,094

SI7315DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存43,524

SI7317DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 365pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存26,046

SI7322ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: ThunderFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 26W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存2,916

SI7322DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存8,208

SI7322DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存328,392

SI7326DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存6,768

SI7326DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存6,048

SI7328DN-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2610pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.78W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存2,196

SI7328DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2610pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.78W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存7,596

SI7336ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存111,948

SI7336ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存322,164

SI7342DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.25mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,790

SI7344DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存6,012

SI7356ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6215pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,934

SI7356ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6215pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存7,812

SI7358ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,988

SI7358ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存3,726

SI7366DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存7,488

SI7366DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存8,496

SI7368DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存4,662

SI7368DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存3,888

SI7370ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,148

SI7370DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存81,732

SI7370DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存26,694

SI7374DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 23.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 56W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存3,294

SI7374DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 23.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 56W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,448

SI7380ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7785pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存6,750

SI7380ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7785pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.4W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存8,136

SI7382DP-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存4,230

SI7382DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,094

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