晶體管

型號	描述	庫存
2N6038 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存8,856
2N6038G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存16,422
2N6039 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: SOT-32-3	庫存2,826
2N6039G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V 功率-最大: 40W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-225AA	庫存33,732
2N6040 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存2,826
2N6040G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存21,246
2N6041 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: 4MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220	庫存13,284
2N6042 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存6,570
2N6042G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存14,124
2N6043 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存4,662
2N6043G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存21,588
2N6045 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存8,208
2N6045-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN TO-220 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 80mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -60°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220	庫存5,562
2N6045G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 20µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存19,392
2N6048 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,338
2N6049 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,776
2N6051 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,880
2N6052 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 6A, 3V 功率-最大: 150W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)	庫存3,474
2N6052 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,298
2N6052 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 100V 12A TO-3 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 6A, 3V 功率-最大: 150W 頻率-過渡: 4MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存6,780
2N6052G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 6A, 3V 功率-最大: 150W 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)	庫存7,578
2N6055 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 8A TO-3 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 80mA, 8A 當前-集電極截止（最大值）: 500µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 4A, 3V 功率-最大: 100W 頻率-過渡: 4MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存8,676
2N6058 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,384
2N6059 STMicroelectronics	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3 制造商: STMicroelectronics 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 6A, 3V 功率-最大: 150W 頻率-過渡: 4MHz 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: TO-204AA, TO-3 供應商設備包裝: TO-3	庫存3,508
2N6059 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,380
2N6076 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,276
2N6076_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,056
2N6076_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,236
2N6076_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 25V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,410
2N6099 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 10A TO-220 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 75W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220	庫存5,940

2N6038

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存8,856

2N6038G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存16,422

2N6039

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: SOT-32-3

庫存2,826

2N6039G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
功率-最大: 40W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-225AA

庫存33,732

2N6040

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存2,826

2N6040G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存21,246

2N6041

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: 4MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220

庫存13,284

2N6042

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存6,570

2N6042G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存14,124

2N6043

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存4,662

2N6043G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 16mA, 4A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存21,588

2N6045

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存8,208

2N6045-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-220

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 80mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -60°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220

庫存5,562

2N6045G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 20µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存19,392

2N6048

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,338

2N6049

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,776

2N6051

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,880

2N6052

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 12A TO3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 6A, 3V
功率-最大: 150W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

庫存3,474

2N6052

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,298

2N6052

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 12A TO-3

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 6A, 3V
功率-最大: 150W
頻率-過渡: 4MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存6,780

2N6052G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 12A TO3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 6A, 3V
功率-最大: 150W
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

庫存7,578

2N6055

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 8A TO-3

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 80mA, 8A
當前-集電極截止（最大值）: 500µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 4A, 3V
功率-最大: 100W
頻率-過渡: 4MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存8,676

2N6058

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,384

2N6059

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3

制造商: STMicroelectronics
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 120mA, 12A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 6A, 3V
功率-最大: 150W
頻率-過渡: 4MHz
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝: TO-3

庫存3,508

2N6059

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,380

2N6076

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,276

2N6076_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,056

2N6076_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,236

2N6076_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,410

2N6099

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 10A TO-220

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 75W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220

庫存5,940

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