晶體管

2N5880

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5881

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 160W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5882

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5883

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5883G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 25A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6.25A, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10A, 4V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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2N5884

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 25A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6.25A, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10A, 4V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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2N5884

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5884

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 25A TO-3

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6.25A, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10A, 4V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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2N5884G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 25A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6.25A, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10A, 4V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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2N5885

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5885

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 25A TO-3

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6.25A, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10A, 4V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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2N5885G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 25A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6.25A, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10A, 4V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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2N5886

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5886G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 25A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 6.25A, 25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10A, 4V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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2N5954

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5956

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5961

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5961_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5962

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 600 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5962

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 600 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92

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2N5962_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 600 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5962_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 600 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5963

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1200 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92

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2N6034

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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2N6034G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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2N6035G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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2N6036

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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2N6036

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: SOT-32

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2N6036-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP BIPOLAR TO-126

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126

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2N6036G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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