+86-0755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。
登錄 繁體中文 USD
購物車 0 個型號 上傳物料清單 節省妳的時間

晶體管

記錄 64,903
頁面 1899/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
TK10J80E,S1E
TK10J80E,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V TO-3PN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVIII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 250W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P(N)
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存2,952
TK10P60W,RVQ
TK10P60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 500µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 300V
  • FET功能: Super Junction
  • 功耗（最大值）: 80W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存8,082
TK10Q60W,S1VQ
TK10Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 500µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 300V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 80W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak
庫存4,590
TK10S04K3L(T6L1,NQ
TK10S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: U-MOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 25W (Tc)
  • 工作溫度: 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK+
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,436
TK10V60W,LVQ
TK10V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 500µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 300V
  • FET功能: Super Junction
  • 功耗（最大值）: 88.3W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 4-DFN-EP (8x8)
  • 包裝/箱: 4-VSFN Exposed Pad
庫存4,860
TK11A45D(STA4,Q,M)
TK11A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 40W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存6,030
TK11A50D(STA4,Q,M)
TK11A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存6,552
TK11A55D(STA4,Q,M)
TK11A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 630mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存5,796
TK11A60D(STA4,Q,M)
TK11A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存8,964
TK11A65W,S5X
TK11A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 450µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 300V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 35W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存7,212
TK11P65W,RQ
TK11P65W,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 450µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 300V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 100W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存2,934
TK12A45D(STA4,Q,M)
TK12A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存6,606
TK12A50D(STA4,Q,M)
TK12A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存7,686
TK12A50E,S5X
TK12A50E,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V TO220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1.2mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存6,600
TK12A53D(STA4,Q,M)
TK12A53D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存3,816
TK12A55D(STA4,Q,M)
TK12A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 570mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存6,138
TK12A60D(STA4,Q,M)
TK12A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存6,444
TK12A60U(Q,M)
TK12A60U(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 35W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存4,302
TK12A60W,S4VX
TK12A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 600µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 300V
  • FET功能: Super Junction
  • 功耗（最大值）: 35W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存7,920
TK12A80W,S4X
TK12A80W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 570µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 300V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存7,470
TK12E60W,S1VX
TK12E60W,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 600µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 300V
  • FET功能: Super Junction
  • 功耗（最大值）: 110W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存7,200
TK12E80W,S1X
TK12E80W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 570µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±20V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 300V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 165W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存9,324
TK12J60U(F)
TK12J60U(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 144W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-3P(N)
  • 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
庫存13,236
TK12P60W,RVQ
TK12P60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 600µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 300V
  • FET功能: Super Junction
  • 功耗（最大值）: 100W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: DPAK
  • 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
庫存5,436
TK12Q60W,S1VQ
TK12Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 600µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 300V
  • FET功能: Super Junction
  • 功耗（最大值）: 100W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I-PAK
  • 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak
庫存3,490
TK12V60W,LVQ
TK12V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: DTMOSIV
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 600µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 300V
  • FET功能: Super Junction
  • 功耗（最大值）: 104W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 4-DFN-EP (8x8)
  • 包裝/箱: 4-VSFN Exposed Pad
庫存4,374
TK13A45D(STA4,Q,M)
TK13A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 460mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存3,816
TK13A50DA(STA4,Q,M
TK13A50DA(STA4,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 6.3A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存8,028
TK13A50D(STA4,Q,M)
TK13A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存6,822
TK13A55DA(STA4,QM)
TK13A55DA(STA4,QM)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: π-MOSVII
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Ta)
  • 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 6.3A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs（最大）: ±30V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗（最大值）: 45W (Tc)
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220SIS
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
庫存8,244