晶體管

型號	描述	庫存
2N6426RLRAG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,240
2N6427 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,906
2N6427 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,194
2N6427_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14000 @ 500mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,160
2N6427_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14000 @ 500mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,762
2N6427_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14000 @ 500mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,860
2N6427G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,250
2N6427RLRA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,464
2N6427RLRAG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1μA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,174
2N6428 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 25nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 10mA, 5V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存7,668
2N6428ABU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 25nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 700MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,186
2N6428ATA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 25nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 700MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,760
2N6430 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 30mA, 10V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存7,146
2N6431 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 30mA, 10V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,736
2N6432 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 10V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存2,628
2N6433 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 10V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存4,014
2N6436 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,534
2N6438 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 PNP TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,436
2N6486 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 15A TO-220 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220	庫存8,280
2N6487 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 15A TO-220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存8,190
2N6487G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 15A TO-220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存19,812
2N6488 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 15A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存2,484
2N6488 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存3,436
2N6488G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 15A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存14,028
2N6490 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 15A TO-220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存8,442
2N6490G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 15A TO-220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存11,568
2N6491 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 15A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存6,408
2N6491 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 4V 功率-最大: 75W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220-3	庫存2,610
2N6491G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 15A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V 功率-最大: 1.8W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存17,268
2N6497 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 250V 5A TO220AB 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 2A, 5A 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2.5A, 10V 功率-最大: 80W 頻率-過渡: 5MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-3 供應商設備包裝: TO-220AB	庫存4,806

2N6426RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,240

2N6427

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,906

2N6427

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,194

2N6427_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14000 @ 500mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,160

2N6427_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14000 @ 500mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,762

2N6427_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14000 @ 500mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,860

2N6427G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,250

2N6427RLRA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,464

2N6427RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1μA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,174

2N6428

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 25nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 10mA, 5V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存7,668

2N6428ABU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 25nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 700MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,186

2N6428ATA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 25nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 700MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,760

2N6430

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 30mA, 10V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存7,146

2N6431

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 30mA, 10V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,736

2N6432

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 10V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存2,628

2N6433

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 10V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存4,014

2N6436

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,534

2N6438

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,436

2N6486

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 15A TO-220

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220

庫存8,280

2N6487

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 15A TO-220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存8,190

2N6487G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 15A TO-220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存19,812

2N6488

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 15A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存2,484

2N6488

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存3,436

2N6488G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 15A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存14,028

2N6490

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 15A TO-220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存8,442

2N6490G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 15A TO-220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存11,568

2N6491

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 15A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存6,408

2N6491

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 4V
功率-最大: 75W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220-3

庫存2,610

2N6491G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 15A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3.5V @ 5A, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 1mA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 4V
功率-最大: 1.8W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存17,268

2N6497

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 5A TO220AB

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 2A, 5A
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2.5A, 10V
功率-最大: 80W
頻率-過渡: 5MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-3
供應商設備包裝: TO-220AB

庫存4,806

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