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晶體管

記錄 64,903
頁面 193/2164
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型號
描述
庫存
數量
2N657
2N657

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,102
2N6609
2N6609

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 140V 16A TO-204

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 16A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 140V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 4V @ 3.2A, 16A
  • 當前-集電極截止(最大值): 10mA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 8A, 4V
  • 功率-最大: 150W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
  • 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)
庫存2,790
2N6609
2N6609

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 140V 16A TO3

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 16A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 140V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1.4V @ 800mA, 8A
  • 當前-集電極截止(最大值): 10mA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 8A, 4V
  • 功率-最大: 150W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
  • 供應商設備包裝: TO-3
庫存6,612
2N6648
2N6648

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,686
2N6649
2N6649

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,654
2N6650
2N6650

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,228
2N6667
2N6667

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Darlington
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 10A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 60V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 3V @ 100mA, 10A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 1000 @ 5A, 3V
  • 功率-最大: 2W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
庫存8,640
2N6667G
2N6667G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Darlington
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 10A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 60V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 3V @ 100mA, 10A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 1000 @ 5A, 3V
  • 功率-最大: 2W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
庫存18,720
2N6668
2N6668

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Darlington
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 10A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 80V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: 65W
  • 頻率-過渡: 20MHz
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220
庫存2,430
2N6668
2N6668

STMicroelectronics

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220

  • 制造商: STMicroelectronics
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Darlington
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 10A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 80V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 3V @ 100mA, 10A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 1000 @ 5A, 3V
  • 功率-最大: 65W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
庫存6,678
2N6671
2N6671

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP 300V 8A TO-3

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 8A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 300V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 10 @ 8A, 300V
  • 功率-最大: 150W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
  • 供應商設備包裝: TO-3
庫存6,984
2N6672
2N6672

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,326
2N6673
2N6673

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存469
2N6674
2N6674

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,184
2N6675
2N6675

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存92
2N6676
2N6676

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,048
2N6677
2N6677

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,866
2N6678
2N6678

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存8,496
2N6678T1
2N6678T1

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,156
2N6714
2N6714

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN MED PWR 30V 2A TO-237

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 2A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 30V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-237AA
  • 供應商設備包裝: TO-237
庫存8,370
2N6715
2N6715

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN SILICON AUDIO POWER

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 2A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 50 @ 1A, 1V
  • 功率-最大: 1W
  • 頻率-過渡: 500MHz
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 供應商設備包裝: TO-92-3
庫存4,986
2N6719
2N6719

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN HIGH VOLTAGE POWER 300V

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 300V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: 2W
  • 頻率-過渡: 30MHz
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-237AA
  • 供應商設備包裝: TO-237
庫存4,914
2N6724
2N6724

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS NPN DARL 40V 1 AMP TO-237

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Darlington
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 1A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 4000 @ 1A, 5V
  • 功率-最大: 1W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-237AA
  • 供應商設備包裝: TO-237
庫存4,842
2N6725
2N6725

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN SILICON POWER DARLINGTON

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Darlington
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 1A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 4000 @ 1A, 5V
  • 功率-最大: 1W
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-237AA
  • 供應商設備包裝: TO-237
庫存8,730
2N6726
2N6726

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

TRANS PNP MED PWR 30V 2A TO-237

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 2A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 30V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-237AA
  • 供應商設備包裝: TO-237
庫存2,610
2N6727
2N6727

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 2A
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 50 @ 1A, 1V
  • 功率-最大: 1W
  • 頻率-過渡: 500MHz
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-237AA
  • 供應商設備包裝: TO-237
庫存3,024
2N6729
2N6729

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

DIE TRANS

  • 制造商: MICROSS/On Semiconductor
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,914
2N696
2N696

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,880
2N696S
2N696S

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,402
2N697
2N697

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單

NPN GP TRANSISTOR

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • 功率-最大: -
  • 頻率-過渡: 100MHz
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-5
庫存4,842