晶體管

型號	描述	庫存
BC337TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,642
BC337TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,346
BC337ZL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 210MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,582
BC337ZL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 210MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,880
BC338 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,876
BC338-16 A1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 100A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,678
BC338-16-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 200nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 300mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 210MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存7,632
BC338-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 100A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存3,150
BC33816BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,844
BC33816TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,694
BC338-25 A1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存7,452
BC338-25-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 200nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 300mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 210MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存8,172
BC338-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存8,838
BC33825BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,616
BC33825TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,668
BC338-25ZL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 210MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,668
BC338-25ZL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 210MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,590
BC338-40 A1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存2,646
BC338-40-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 200nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 300mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 210MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,534
BC338-40 B1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存7,686
BC33840BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,192
BC33840TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,582
BC338BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,796
BC338_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,046
BC338TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,140
BC338TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 0.8A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,280
BC368 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 65MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,420
BC368,112 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 1A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V 功率-最大: 830mW 頻率-過渡: 170MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,214
BC368,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 1A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V 功率-最大: 830mW 頻率-過渡: 170MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,434
BC368_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 45MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,232

BC337TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,642

BC337TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,346

BC337ZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 210MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,582

BC337ZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 210MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,880

BC338

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,876

BC338-16 A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 100A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,678

BC338-16-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 200nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 300mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 210MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存7,632

BC338-16 B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 100A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存3,150

BC33816BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,844

BC33816TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,694

BC338-25 A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存7,452

BC338-25-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 200nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 300mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 210MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存8,172

BC338-25 B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存8,838

BC33825BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,616

BC33825TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,668

BC338-25ZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 210MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,668

BC338-25ZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 210MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,590

BC338-40 A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存2,646

BC338-40-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 200nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 300mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 210MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,534

BC338-40 B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存7,686

BC33840BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,192

BC33840TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,582

BC338BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,796

BC338_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,046

BC338TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,140

BC338TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,280

BC368

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 65MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,420

BC368,112

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 1A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
功率-最大: 830mW
頻率-過渡: 170MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,214

BC368,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 1A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
功率-最大: 830mW
頻率-過渡: 170MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,434

BC368_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 500mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 45MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,232

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