晶體管

型號	描述	庫存
BC516_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,286
BC516_L34Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,606
BC517 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,150
BC517,112 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 220MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,776
BC517,116 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 220MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,984
BC517_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,338
BC517_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,074
BC517-D74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存197,916
BC517_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,028
BC517G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存1,180
BC517_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,488
BC517_L34Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,262
BC517RL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,696
BC517RL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,076
BC517ZL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,552
BC517ZL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,808
BC51PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存44,658
BC51PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS PNP 1A 45V SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存3,132
BC52-10PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存5,688
BC52-10PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存4,410
BC52-16PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存8,244
BC52-16PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存3,204
BC52PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存8,640
BC52PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存8,820
BC53-10PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存5,508
BC53-10PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存3,204
BC53-16PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存2,214
BC53-16PA-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 2V 功率-最大: 520mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN 供應商設備包裝: U-DFN-2020-3	庫存7,020
BC53-16PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存8,712
BC53PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存25,656

BC516_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,286

BC516_L34Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,606

BC517

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,150

BC517,112

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 220MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,776

BC517,116

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 220MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,984

BC517_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,338

BC517_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,074

BC517-D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存197,916

BC517_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,028

BC517G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存1,180

BC517_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,488

BC517_L34Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,262

BC517RL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,696

BC517RL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,076

BC517ZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,552

BC517ZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30000 @ 20mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,808

BC51PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存44,658

BC51PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS PNP 1A 45V SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存3,132

BC52-10PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存5,688

BC52-10PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存4,410

BC52-16PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存8,244

BC52-16PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存3,204

BC52PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存8,640

BC52PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存8,820

BC53-10PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存5,508

BC53-10PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存3,204

BC53-16PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存2,214

BC53-16PA-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 2V
功率-最大: 520mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN
供應商設備包裝: U-DFN-2020-3

庫存7,020

BC53-16PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存8,712

BC53PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存25,656

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message