晶體管

型號	描述	庫存
BC56-10PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存7,056
BC56-10PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS NPN 1A 80V SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存8,352
BC56-16PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存7,830
BC56-16PA-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 80V 1A UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 2V 功率-最大: 520mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN-2020-3	庫存22,956
BC56-16PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS NPN 1A 80V SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存2,286
BC56PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存29,664
BC56PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS NPN 1A 80V SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存25,758
BC618 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,766
BC618,112 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 55V 0.5A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 155MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,506
BC618G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,302
BC618RL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,526
BC618RL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,598
BC635 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,942
BC635,112 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 830mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,200
BC635,116 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 830mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,490
BC635-16,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 2V 功率-最大: 830mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,186
BC635_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,202
BC635_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,776
BC635_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,920
BC635_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,670
BC635_L34Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,050
BC635RL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,168
BC635RL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,636
BC635ZL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,788
BC635ZL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,672
BC636 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,562
BC636,116 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 1A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 830mW 頻率-過渡: 145MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,142
BC636BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,290
BC636_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,570
BC636TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 45V 1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存16,452

BC56-10PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存7,056

BC56-10PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS NPN 1A 80V SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存8,352

BC56-16PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存7,830

BC56-16PA-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 2V
功率-最大: 520mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN-2020-3

庫存22,956

BC56-16PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS NPN 1A 80V SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存2,286

BC56PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存29,664

BC56PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS NPN 1A 80V SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存25,758

BC618

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,766

BC618,112

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 55V 0.5A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 155MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,506

BC618G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,302

BC618RL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,526

BC618RL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 200mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,598

BC635

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,942

BC635,112

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 830mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,200

BC635,116

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 830mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,490

BC635-16,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 2V
功率-最大: 830mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,186

BC635_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,202

BC635_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,776

BC635_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,920

BC635_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,670

BC635_L34Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,050

BC635RL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,168

BC635RL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,636

BC635ZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,788

BC635ZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,672

BC636

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,562

BC636,116

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 1A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 830mW
頻率-過渡: 145MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,142

BC636BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,290

BC636_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,570

BC636TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存16,452

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