晶體管

型號	描述	庫存
BC558ABU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,950
BC558ATA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,020
BC558B ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,986
BC558B-AP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN TO-92 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存5,292
BC558BBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,254
BC558B_J18Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,274
BC558B_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,430
BC558BRL ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 360MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,488
BC558BRL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 360MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,356
BC558BRL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 360MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,850
BC558BRLG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 360MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,292
BC558BTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存84,960
BC558BTAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,416
BC558BTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,228
BC558BTFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,132
BC558BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,858
BC558BZL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 360MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,610
BC558BZL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 360MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,280
BC558C ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,298
BC558CBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,730
BC558C_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,752
BC558CTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,364
BC558CZL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 360MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,868
BC558CZL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 360MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,632
BC558_D81Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,754
BC558_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,700
BC558TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,520
BC558TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,662
BC558TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,708
BC558TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,992

BC558ABU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,950

BC558ATA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,020

BC558B

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,986

BC558B-AP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-92

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存5,292

BC558BBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,254

BC558B_J18Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,274

BC558B_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,430

BC558BRL

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 360MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,488

BC558BRL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 360MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,356

BC558BRL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 360MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,850

BC558BRLG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 360MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,292

BC558BTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存84,960

BC558BTAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,416

BC558BTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,228

BC558BTFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,132

BC558BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,858

BC558BZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 360MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,610

BC558BZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 360MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,280

BC558C

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,298

BC558CBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,730

BC558C_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,752

BC558CTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,364

BC558CZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 360MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,868

BC558CZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 360MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,632

BC558_D81Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,754

BC558_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,700

BC558TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,520

BC558TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,662

BC558TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,708

BC558TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,992

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