晶體管

型號	描述	庫存
BSP52T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SOT-223	庫存1,840
BSP52T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SOT-223	庫存267,240
BSP52T3 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SOT-223	庫存3,852
BSP52T3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 800mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SOT-223	庫存5,490
BSP60,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.25W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SC-73	庫存23,364
BSP60E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: PG-SOT223-4	庫存7,398
BSP 60 E6433 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: PG-SOT223-4	庫存5,022
BSP60H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: PG-SOT223-4	庫存7,470
BSP61,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.25W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SC-73	庫存23,958
BSP61E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 60V 1A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: PG-SOT223-4	庫存6,966
BSP61H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: PG-SOT223-4	庫存3,276
BSP62,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.25W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SC-73	庫存22,578
BSP62E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: PG-SOT223-4	庫存7,866
BSP62H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: PG-SOT223-4	庫存5,724
BSR12,215 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 1V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 1.5GHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)	庫存2,538
BSR13 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.5A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 30nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,340
BSR14 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.8A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存55,704
BSR14,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.8A SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存252,216
BSR14_D87Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存4,608
BSR15 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存3,598
BSR16 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.8A SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存58,338
BSR16,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存3,564
BSR16/LF1R NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR PNP 制造商: NXP USA Inc. 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存8,550
BSR17A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存95,184
BSR17A_D87Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,184
BSR18A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存4,680
BSR18A_D87Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V 功率-最大: 350mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存3,240
BSR18B ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 10mA, 1V 功率-最大: 230mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存7,578
BSR19A,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 0.3A SOT23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存27,012
BSR30,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 1A SOT89 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 100mA, 5V 功率-最大: 1.35W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存2,322

BSP52T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SOT-223

庫存1,840

BSP52T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SOT-223

庫存267,240

BSP52T3

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SOT-223

庫存3,852

BSP52T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 800mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SOT-223

庫存5,490

BSP60,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.25W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SC-73

庫存23,364

BSP60E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: PG-SOT223-4

庫存7,398

BSP 60 E6433

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: PG-SOT223-4

庫存5,022

BSP60H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: PG-SOT223-4

庫存7,470

BSP61,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.25W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SC-73

庫存23,958

BSP61E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 1A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: PG-SOT223-4

庫存6,966

BSP61H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: PG-SOT223-4

庫存3,276

BSP62,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.25W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SC-73

庫存22,578

BSP62E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: PG-SOT223-4

庫存7,866

BSP62H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10µA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 500mA, 10V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: PG-SOT223-4

庫存5,724

BSR12,215

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 1V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 1.5GHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)

庫存2,538

BSR13

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.5A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 30nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,340

BSR14

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.8A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存55,704

BSR14,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.8A SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存252,216

BSR14_D87Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存4,608

BSR15

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存3,598

BSR16

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.8A SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存58,338

BSR16,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存3,564

BSR16/LF1R

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR PNP

制造商: NXP USA Inc.
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存8,550

BSR17A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存95,184

BSR17A_D87Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,184

BSR18A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存4,680

BSR18A_D87Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
功率-最大: 350mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存3,240

BSR18B

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 10mA, 1V
功率-最大: 230mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存7,578

BSR19A,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.3A SOT23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存27,012

BSR30,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 1A SOT89

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 100mA, 5V
功率-最大: 1.35W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存2,322

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