晶體管

BU406

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 7A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BU406

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU406

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU406G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 7A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BU406-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 7A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 4A, 10V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 6MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BU406TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU407

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU407

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU407HTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 800mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU407-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 7A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 4A, 10V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 6MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BU407TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU408

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 7A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1.2A, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU408

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1.2A, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 10MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU426

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

POWER TRANSISTOR NPN TO218

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 375V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 115W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: TO-218

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BU426A-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 6A

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1.25A, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 600mA, 5V
• 功率-最大: 70W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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BU426-S

Bourns

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 375V 6A SOT-93

• 制造商: Bourns Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 375V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1.25A, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 600mA, 5V
• 功率-最大: 70W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-218-3
• 供應商設備包裝: SOT-93

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BU505

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 2.5A TO220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 900mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 150µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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BU508A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 8A TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 2A, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 7MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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BU508AF

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOWATT218FX
• 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX

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BU508AFI

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 2A, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: 7MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOWATT-218-3
• 供應商設備包裝: ISOWATT-218FX

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BU508AFTBTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 5A TO-3PF

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 2A, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2.25 @ 4.5A, 5V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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BU508AW

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 8A TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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BU806

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BU806

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU806

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU807

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BU807

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU807TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BU808DFI

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 400µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 52W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOWATT-218-3
• 供應商設備包裝: ISOWATT-218

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BU810

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 400V 7A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 700mA, 7A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 75W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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