晶體管

ULN2803ADWRG4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 18-SOIC

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ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 1.31W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 18-SOL

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ULN2803AN

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-PDIP

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ULN2803ANG4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-PDIP

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ULN2803APG,CN

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 1.47W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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ULN2804A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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ULN2805A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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ULQ2001A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-DIP

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ULQ2001D1013TR

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULQ2003A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-DIP

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ULQ2003D1

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULQ2003D1013TR

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULQ2003D1013TRY

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULQ2004A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-DIP

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ULQ2004D1013TR

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULQ2801A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC ARRAYS EIGHT DARL 18-DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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ULQ2802A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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ULQ2803A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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ULQ2804A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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UMB10NFHATN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMB2NFHATN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMB3NFHATN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMB4NFHATN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMH3NFHATN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UML23NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Zener Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UML2N-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-陣列

DIODE

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: SOT-353

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UML6N-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-陣列

DIODE

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 120mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: SOT-353

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UMT18NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 260MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMT1NTN

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: UMT6

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UMT1N-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.15A SOT363

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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