晶體管

ULN2004ADRE4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ULN2004ADRG4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOL

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ULN2004AID

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ULN2004AIDR

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ULN2004AIN

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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ULN2004AINS

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULN2004AINSE4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULN2004AINSG4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULN2004AINSR

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULN2004AN

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-DIP

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ULN2004ANG4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-DIP

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ULN2004ANSR

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULN2004APG,C,N

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 1.47W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-DIP

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ULN2004AS16-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULN2004D1013TR

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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ULN2064B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.75A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PowerDIP (20x7.10)

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ULN2065B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.75A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PowerDIP (20x7.10)

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ULN2066B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.75A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PowerDIP (20x7.10)

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ULN2067B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.75A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PowerDIP (20x7.10)

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ULN2068B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.75A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PowerDIP (20x7.10)

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ULN2069B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.75A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PowerDIP (20x7.10)

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ULN2074B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.75A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PowerDIP (20x7.10)

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ULN2075B

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.75A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PowerDIP (20x7.10)

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ULN2801A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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ULN2802A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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ULN2803A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -20°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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ULN2803ADW

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 18-SOIC

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ULN2803ADWG4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 18-SOIC

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ULN2803ADWR

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 18-SOIC

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