晶體管

JAN2N2880

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 5A TO59

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/315
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Stud Mount
• 包裝/箱: TO-210AA, TO-59-4, Stud
• 供應商設備包裝: TO-59

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JAN2N2904

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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JAN2N2904A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/290
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N2904AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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JAN2N2905

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.6A TO39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/290
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N2905A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/290
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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JAN2N2905AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO5

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/290
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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JAN2N2906A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO18

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/291
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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JAN2N2906AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/291
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

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JAN2N2906AUA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/291
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: 4-SMD

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JAN2N2906AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A 3UB

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/291
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: UB

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JAN2N2907A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO18

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/291
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

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JAN2N2907AL

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A 4UA

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/291
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: UA

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JAN2N2907AUA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/291
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: UA

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JAN2N2919

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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JAN2N2945A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 0.1A TO-46

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/382
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 500mV
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-46

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JAN2N2946A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 35V 0.1A TO46

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/382
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1mA, 500mV
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-46

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JAN2N3019

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A TO39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/391
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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JAN2N3019S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/391
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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JAN2N3055

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 70V 15A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/407
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 6W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JAN2N3057A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A TO46

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/391
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-46-3

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JAN2N3250A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.2A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/323
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 360mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N3251A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.2A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/323
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 360mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N3251AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.2A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/323
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 360mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: UB

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JAN2N335

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 10MA

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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JAN2N3418

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/393
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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JAN2N3418S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/393
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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JAN2N3419

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 3A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/393
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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JAN2N3419S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 3A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/393
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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JAN2N3420

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/393
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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