晶體管

ZXTD3M832TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 40V 3A 8MLP

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 1.5A, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 190MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-MLP (3x2)

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ZXTD4591AM832TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8MLP

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A, 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-MLP (3x2)

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ZXTD4591E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 1.1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-23-6

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ZXTD4591E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 1.1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-23-6

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ZXTD617MCTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: W-DFN3020-8

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ZXTD618MCTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: W-DFN3020-8

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ZXTD619MCTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 320mV @ 200mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: W-DFN3020-8

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ZXTD6717E6QTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ZXTD6717E6TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A, 1.25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V, 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.1W
• 頻率-過渡: 180MHz, 220MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-26

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ZXTD6717E6TC

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A, 1.25A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V, 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.1W
• 頻率-過渡: 180MHz, 220MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-26

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ZXTD717MCTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 310mV @ 150mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 2.5A, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 110MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-WDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-DFN (3x2)

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ZXTD718MCTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: W-DFN3020-8

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ZXTD720MCTA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 1.5A, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 190MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-WDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-DFN (3x2)

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ZXTDA1M832TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A, 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V, 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz, 110MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-MLP (3x2)

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ZXTDAM832TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 3A, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-MLP (3x2)

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ZXTDB2M832TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A, 3.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 140MHz, 180MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-MLP (3x2)

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ZXTDBM832TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-MLP (3x2)

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ZXTDC3M832TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A, 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 165MHz, 190MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-MLP (3x2)

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ZXTDCM832TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 50V 4A 8MLP

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 320mV @ 200mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 1.7W
• 頻率-過渡: 165MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-MLP (3x2)

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ZXTDE4M832TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.5A, 2.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V, 70V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 160MHz, 180MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-MLP (3x2)

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ZXTP56020FDBQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 20V 2A U-DFN2020-6

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 390mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 405mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: U-DFN2020-6

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ZXTP56060FDBQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 170 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 510mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: U-DFN2020-6

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ACX114EUQ-13R

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 270mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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ACX114EUQ-7R

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 270mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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ACX114YUQ-13R

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms, 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms, 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 270mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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ACX114YUQ-7R

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms, 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms, 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 270mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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ACX115EUQ-13R

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN, PNP Complementary
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 100kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 100kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 270mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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ACX115EUQ-7R

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN, PNP Complementary
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 100kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 100kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 270mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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ACX124EUQ-13R

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms, 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms, 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 270mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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ACX124EUQ-7R

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT363

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms, 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms, 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 270mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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