晶體管

BCR10PNB6327XT

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR10PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR10PNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR10PNH6727XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR10PNH6730XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR116SE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR 116S E6727

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR116SH6327XTSA1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR 116S H6727

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR119SE6327BTSA1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR119SE6433HTMA1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR119SH6327XTSA1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR119SH6433XTMA1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR129SH6327XTSA1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR133SB6327XT

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR133SE6433BTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR133SH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR133SH6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR 133S H6444

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR135SE6327BTSA1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR135SH6827XTSA1

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晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR141SE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR 141S E6727

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR141SH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR 141S H6727

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BCR148SE6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 100MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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