晶體管

STX790AG-AP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 3A TO92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92AP

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STX817A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1.5A TO-92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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STX826

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 3A TO92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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STX83003

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A TO-92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 16 @ 350mA, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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STX83003-AP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A TO-92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 16 @ 350mA, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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STX93003

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 400V 1A TO-92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 16 @ 350mA, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92

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STX93003-AP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 400V 1A TO-92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 16 @ 350mA, 5V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92

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SXTA42TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A SOT89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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SZT1010T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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TB100EP

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TB100/TO-92/STANDARD MARKING *

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 150mA, 750mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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TB100ML

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TB100/TO-92/STANDARD MARKING *

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 150mA, 750mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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TBC847B,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 100mA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 30nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 320mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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TBC857B,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 30nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 210 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 320mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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TEC301-303

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-106

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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TEC304

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-106

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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TIP100

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 8A TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: *
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP100

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP100-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP100G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP101

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP101

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP101-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP101G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP102

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP102

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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TIP102

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP102-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP102G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP102TSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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TIP102TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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