晶體管

TSC966CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1μA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

加入購物車更新到購物車

TTA0002(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 18A TO-3PL

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 900mA, 9A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 180W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PL
• 供應商設備包裝: TO-3P(L)

加入購物車更新到購物車

TTA003,L1NQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 10W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: PW-MOLD

加入購物車更新到購物車

TTA004B,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 160V 1.5A TO126N

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 10W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126N

加入購物車更新到購物車

TTA1713-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR VCEO-45V IC-0.5A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

TTA1713-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR VCEO-45V IC-0.5A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

TTA1943(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 230V 15A TO-3PL

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PL
• 供應商設備包裝: TO-3P(L)

加入購物車更新到購物車

TTC0002(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 18A TO-3PL

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 900mA, 9A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 180W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PL
• 供應商設備包裝: TO-3P(L)

加入購物車更新到購物車

TTC004B,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.5A TO126N

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 10W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126N

加入購物車更新到購物車

TTC008(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 285V 1.5A PW MOLD2

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 285V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 1.1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: PW-MOLD2

加入購物車更新到購物車

TTC009,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 3A 80V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

加入購物車更新到購物車

TTC009,F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 3A 80V TO220-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NIS

加入購物車更新到購物車

TTC012(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 375V 2A PW MOLD2

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 375V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 300mA, 5V
• 功率-最大: 1.1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: PW-MOLD2

加入購物車更新到購物車

TTC1949-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

TTC1949-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

TTC4116FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

TTC5200(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 230V 15A TO-3PL

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PL
• 供應商設備包裝: TO-3P(L)

加入購物車更新到購物車

UML1NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.15A SOT353

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

加入購物車更新到購物車

UML2NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A SOT353

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

加入購物車更新到購物車

UML4NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 0.5A SOT353

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 120mW
• 頻率-過渡: 260MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

加入購物車更新到購物車

UML6NTR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 0.5A UMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 120mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: UMT5

加入購物車更新到購物車

UMT2222AT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

加入購物車更新到購物車

UMT2907AT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

加入購物車更新到購物車

UMT3904T106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

加入購物車更新到購物車

UMT3906T106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-323

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: UMT3

加入購物車更新到購物車

US6T4TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 3A TUMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 280MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: TUMT6

加入購物車更新到購物車

US6T5TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 2A TUMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 280MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: TUMT6

加入購物車更新到購物車

US6T6TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 2A TUMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 180mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: TUMT6

加入購物車更新到購物車

US6T7TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 370mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 280MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: TUMT6

加入購物車更新到購物車

US6X3TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 3A TUMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: TUMT6

加入購物車更新到購物車