晶體管

型號	描述	庫存
ADTC144WCAQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 3K 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 310mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存3,598
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存2,718
BCR 101T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存7,074
BCR 103F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存7,614
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存4,572
BCR 103T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存3,888
BCR 108 B6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 170MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,940
BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 170MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存323,208
BCR108E6433HTMA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 170MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存8,748
BCR 108F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 170MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存7,956
BCR 108L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 170MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存2,484
BCR 108T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 170MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存4,878
BCR108WE6327BTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 170MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存3,618
BCR108WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 170MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存2,520
BCR108WH6433XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 170MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存7,398
BCR112E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存510,258
BCR 112F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存2,466
BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存3,294
BCR 112T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存8,280
BCR112WE6327BTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存5,454
BCR112WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存8,676
BCR 114F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 160MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存4,590
BCR 114L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 160MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存4,230
BCR 114T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 160MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存2,322
BCR116E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,590,422
BCR116E6433HTMA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,706
BCR 116F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存4,032
BCR 116L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存7,506
BCR 116T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存4,104
BCR116WE6327BTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存7,038

ADTC144WCAQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 3K

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 310mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存3,598

BCR 101L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存2,718

BCR 101T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存7,074

BCR 103F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存7,614

BCR 103L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存4,572

BCR 103T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存3,888

BCR 108 B6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 170MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,940

BCR108E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 170MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存323,208

BCR108E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 170MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存8,748

BCR 108F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 170MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存7,956

BCR 108L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 170MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存2,484

BCR 108T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 170MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存4,878

BCR108WE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 170MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存3,618

BCR108WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 170MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存2,520

BCR108WH6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 170MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存7,398

BCR112E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存510,258

BCR 112F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存2,466

BCR 112L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存3,294

BCR 112T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存8,280

BCR112WE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存5,454

BCR112WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存8,676

BCR 114F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 160MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存4,590

BCR 114L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 160MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存4,230

BCR 114T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 160MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存2,322

BCR116E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,590,422

BCR116E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,706

BCR 116F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存4,032

BCR 116L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存7,506

BCR 116T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存4,104

BCR116WE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存7,038

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