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晶體管

記錄 64,903
頁面 643/2164
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型號
描述
庫存
數量
DTA114EKAT146
DTA114EKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存43,146
DTA114EKA-TP
DTA114EKA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3L

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3L
庫存7,830
DTA114EM3T5G
DTA114EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存6,534
DTA114EMFHAT2L
DTA114EMFHAT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 100MA

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): -
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,806
DTA114EMT2L
DTA114EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存8,712
DTA114ESATP
DTA114ESATP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: SC-72 Formed Leads
  • 供應商設備包裝: SPT
庫存5,544
DTA114EU3HZGT106
DTA114EU3HZGT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTA114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存4,248
DTA114EU3T106
DTA114EU3T106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased + Diode
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存7,668
DTA114EUAT106
DTA114EUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存158,064
DTA114EUA-TP
DTA114EUA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存26,136
DTA114EUBHZGTL
DTA114EUBHZGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存6,894
DTA114EUBTL
DTA114EUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-85
  • 供應商設備包裝: UMT3F
庫存2,448
DTA114GKAT146
DTA114GKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存24,486
DTA114GUAT106
DTA114GUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存2,052
DTA114TCAHZGT116
DTA114TCAHZGT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 350mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存7,794
DTA114TCAT116
DTA114TCAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SST3
庫存3,978
DTA114TCA-TP
DTA114TCA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23
庫存7,074
DTA114TEBTL
DTA114TEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: EMT3
庫存4,914
DTA114TET1
DTA114TET1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存5,292
DTA114TET1G
DTA114TET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416
庫存153,336
DTA114TETL
DTA114TETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-75, SOT-416
  • 供應商設備包裝: EMT3
庫存177,198
DTA114TE-TP
DTA114TE-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-523
  • 供應商設備包裝: SOT-523
庫存3,978
DTA114TKAT146
DTA114TKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3
庫存7,542
DTA114TKA-TP
DTA114TKA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3L

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3L
庫存4,788
DTA114TM3T5G
DTA114TM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 260mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: SOT-723
庫存5,940
DTA114TMT2L
DTA114TMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-723
  • 供應商設備包裝: VMT3
庫存3,366
DTA114TU3HZGT106
DTA114TU3HZGT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

DTA114TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存27,954
DTA114TUAT106
DTA114TUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存22,734
DTA114TUA-TP
DTA114TUA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Micro Commercial Co
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存28,992
DTA114TUBTL
DTA114TUBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: UMT3
庫存3,906