晶體管

型號	描述	庫存
DTA115GKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存7,092
DTA115GUAT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存8,532
DTA115TET1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存145,254
DTA115TETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存3,528
DTA115TKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存8,676
DTA115TM3T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.26W SOT723 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 260mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SOT-723	庫存5,742
DTA115TMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存5,814
DTA115TUAT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存3,906
DTA123ECAT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存8,208
DTA123EEFRATL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存26,610
DTA123EET1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存3,400
DTA123EET1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存2,520
DTA123EETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存113,184
DTA123EKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存259,794
DTA123EM3T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 260mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SOT-723	庫存3,402
DTA123EMFHAT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存6,624
DTA123EMT2L Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VMT3	庫存7,722
DTA123EU3HZGT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存27,264
DTA123EU3T106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存6,516
DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: UMT3	庫存28,266
DTA123JCAT116 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SST3	庫存2,754
DTA123JCA-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存2,160
DTA123JEBHZGTL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)	庫存24,990
DTA123JEBTL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)	庫存6,048
DTA123JEFRATL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存7,776
DTA123JET1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存7,596
DTA123JET1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416	庫存3,636
DTA123JETL Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存21,774
DTA123JE-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-523 供應商設備包裝: SOT-523	庫存3,600
DTA123JKAT146 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3	庫存28,554

DTA115GKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存7,092

DTA115GUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存8,532

DTA115TET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存145,254

DTA115TETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存3,528

DTA115TKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存8,676

DTA115TM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.26W SOT723

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 260mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SOT-723

庫存5,742

DTA115TMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存5,814

DTA115TUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存3,906

DTA123ECAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存8,208

DTA123EEFRATL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存26,610

DTA123EET1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存3,400

DTA123EET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存2,520

DTA123EETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存113,184

DTA123EKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存259,794

DTA123EM3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 260mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SOT-723

庫存3,402

DTA123EMFHAT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存6,624

DTA123EMT2L

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VMT3

庫存7,722

DTA123EU3HZGT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存27,264

DTA123EU3T106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存6,516

DTA123EUAT106

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: UMT3

庫存28,266

DTA123JCAT116

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SST3

庫存2,754

DTA123JCA-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存2,160

DTA123JEBHZGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)

庫存24,990

DTA123JEBTL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: EMT3F (SOT-416FL)

庫存6,048

DTA123JEFRATL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存7,776

DTA123JET1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存7,596

DTA123JET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

庫存3,636

DTA123JETL

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存21,774

DTA123JE-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-523
供應商設備包裝: SOT-523

庫存3,600

DTA123JKAT146

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3

庫存28,554

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