晶體管

型號	描述	庫存
FJN4305RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,986
FJN4305RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,884
FJN4306RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,046
FJN4306RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,186
FJN4307RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,172
FJN4307RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,358
FJN4308RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,034
FJN4308RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,848
FJN4309RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,742
FJN4309RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,624
FJN4310RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,824
FJN4310RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,906
FJN4311RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,514
FJN4311RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,002
FJN4312RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,806
FJN4312RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,678
FJN4313RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,932
FJN4313RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,696
FJN4314RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,374
FJN4314RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,554
FJNS3201RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存8,028
FJNS3201RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存3,078
FJNS3202RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存3,024
FJNS3202RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存7,038
FJNS3203RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,250
FJNS3203RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存3,420
FJNS3204RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,196
FJNS3204RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存4,356
FJNS3205RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存6,624
FJNS3205RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存5,472

FJN4305RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,986

FJN4305RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,884

FJN4306RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,046

FJN4306RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,186

FJN4307RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,172

FJN4307RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,358

FJN4308RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,034

FJN4308RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,848

FJN4309RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,742

FJN4309RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,624

FJN4310RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,824

FJN4310RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,906

FJN4311RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,514

FJN4311RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,002

FJN4312RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,806

FJN4312RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,678

FJN4313RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,932

FJN4313RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,696

FJN4314RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,374

FJN4314RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,554

FJNS3201RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存8,028

FJNS3201RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存3,078

FJNS3202RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存3,024

FJNS3202RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存7,038

FJNS3203RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,250

FJNS3203RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存3,420

FJNS3204RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,196

FJNS3204RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存4,356

FJNS3205RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存6,624

FJNS3205RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存5,472

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