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晶體管

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頁面 672/2164
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型號
描述
庫存
數量
FJX3014RTF
FJX3014RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存4,806
FJX3015RTF
FJX3015RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存5,454
FJX4001RTF
FJX4001RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存3,580
FJX4002RTF
FJX4002RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存5,076
FJX4003RTF
FJX4003RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存3,598
FJX4004RTF
FJX4004RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存4,518
FJX4005RTF
FJX4005RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存4,878
FJX4006RTF
FJX4006RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存4,518
FJX4007RTF
FJX4007RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存4,986
FJX4008RTF
FJX4008RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存6,336
FJX4009RTF
FJX4009RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存5,076
FJX4010RTF
FJX4010RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存4,050
FJX4011RTF
FJX4011RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存3,672
FJX4012RTF
FJX4012RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存7,902
FJX4013RTF
FJX4013RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存3,564
FJX4014RTF
FJX4014RTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)
庫存8,568
FJY3001R
FJY3001R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 22 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存4,068
FJY3002R
FJY3002R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存2,394
FJY3003R
FJY3003R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存3,258
FJY3004R
FJY3004R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存5,040
FJY3005R
FJY3005R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存4,320
FJY3006R
FJY3006R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存8,964
FJY3007R
FJY3007R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存7,038
FJY3008R
FJY3008R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存4,194
FJY3009R
FJY3009R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存3,544
FJY3010R
FJY3010R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存2,790
FJY3011R
FJY3011R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存3,312
FJY3012R
FJY3012R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存7,920
FJY3013R
FJY3013R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存4,158
FJY3014R
FJY3014R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存6,552