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晶體管

記錄 64,903
頁面 673/2164
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型號
描述
庫存
數量
FJY3015R
FJY3015R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN SOT-523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 33 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存6,480
FJY4001R
FJY4001R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存8,910
FJY4002R
FJY4002R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存3,436
FJY4003R
FJY4003R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存4,122
FJY4004R
FJY4004R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存3,762
FJY4005R
FJY4005R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存2,286
FJY4006R
FJY4006R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存3,528
FJY4007R
FJY4007R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存4,194
FJY4008R
FJY4008R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存3,726
FJY4009R
FJY4009R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存3,400
FJY4010R
FJY4010R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存3,834
FJY4011R
FJY4011R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存4,212
FJY4012R
FJY4012R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 40V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存8,316
FJY4013R
FJY4013R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存5,274
FJY4014R
FJY4014R

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 100nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-89, SOT-490
  • 供應商設備包裝: SOT-523F
庫存5,526
FN4L4M-T1B-A
FN4L4M-T1B-A

Renesas Electronics America

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

PROGRAM ADAPTER

  • 制造商: Renesas Electronics America
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): -
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,796
MMUN2111LT1
MMUN2111LT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存5,760
MMUN2111LT1G
MMUN2111LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存1,122,390
MMUN2111LT3G
MMUN2111LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存190,566
MMUN2112LT1
MMUN2112LT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存6,030
MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存87,450
MMUN2113LT1
MMUN2113LT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存4,860
MMUN2113LT1G
MMUN2113LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存267,006
MMUN2113LT3
MMUN2113LT3

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存2,214
MMUN2113LT3G
MMUN2113LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存99,528
MMUN2114LT1
MMUN2114LT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存6,948
MMUN2114LT1G
MMUN2114LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存5,544
MMUN2114LT3G
MMUN2114LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存7,254
MMUN2115LT1G
MMUN2115LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 400mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存151,446
MMUN2116LT1G
MMUN2116LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 246mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
庫存55,218