晶體管

PDTD143EUF

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 225MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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PDTD143EUX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 225MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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PDTD143XQAZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 210MHz
• 功率-最大: 325mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3

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PDTD143XTR

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 225MHz
• 功率-最大: 320mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PDTD143XTVL

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 225MHz
• 功率-最大: 320mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PDTD143XUF

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 225MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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PDTD143XUX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 225MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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RN1101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN1101CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN1101,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN1101MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

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RN1102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN1102CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN1102,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN1102MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

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RN1102T5LFT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN1103ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN1103CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN1103,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN1103MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

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RN1103MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

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RN1104ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN1104CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN1104,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN1104MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

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RN1104MFV,L3F(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

NPN BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN1104T5LFT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN1105ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN1105CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN1105,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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