晶體管

型號	描述	庫存
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: CST3	庫存5,706
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 50mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: CST3	庫存3,420
RN1113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存7,002
RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存26,880
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存4,374
RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存8,694
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存3,186
RN1115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存148,026
RN1116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR4.7KOHM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,318
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存2,574
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存3,526
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存7,146
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存7,542
RN1118MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存5,616
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存2,340
RN1119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存8,334
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存7,938
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存4,086
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 200 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存6,174
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存261,576
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存4,464
RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR22KOHM Q 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,772
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存2,070
RN1304,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存6,876
RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存5,994
RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存7,812
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存6,246
RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存58,932
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存3,490
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存4,806

RN1113ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: CST3

庫存5,706

RN1113CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 50mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: CST3

庫存3,420

RN1113MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存7,002

RN1113(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存26,880

RN1114MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存4,374

RN1114(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存8,694

RN1115,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存3,186

RN1115MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存148,026

RN1116,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR4.7KOHM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,318

RN1116MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存2,574

RN1116(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存3,526

RN1117MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存7,146

RN1117(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存7,542

RN1118MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存5,616

RN1118(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存2,340

RN1119MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存8,334

RN1130MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存7,938

RN1131MFV(TL3,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存4,086

RN1132MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 200 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存6,174

RN1301,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存261,576

RN1302,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存4,464

RN1303,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR22KOHM Q

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,772

RN1303(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存2,070

RN1304,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存6,876

RN1305,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存5,994

RN1306,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存7,812

RN1307,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存6,246

RN1308,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存58,932

RN1309,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存3,490

RN1309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存4,806

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message