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晶體管

記錄 64,903
頁面 73/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
NSBC143EDXV6T1G
NSBC143EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,898
NSBC143EPDP6T5G
NSBC143EPDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存2,106
NSBC143EPDXV6T1
NSBC143EPDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,598
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存8,406
NSBC143TDXV6T1
NSBC143TDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存3,816
NSBC143TDXV6T1G
NSBC143TDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,166
NSBC143TDXV6T5G
NSBC143TDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存4,464
NSBC143TPDXV6T1
NSBC143TPDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存4,878
NSBC143TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存30,864
NSBC143TPDXV6T5G
NSBC143TPDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,148
NSBC143ZDP6T5G
NSBC143ZDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存7,560
NSBC143ZDXV6T1
NSBC143ZDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,232
NSBC143ZDXV6T1G
NSBC143ZDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存28,560
NSBC143ZDXV6T5G
NSBC143ZDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存3,204
NSBC143ZPDP6T5G
NSBC143ZPDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存7,434
NSBC143ZPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存4,158
NSBC143ZPDXV6T5
NSBC143ZPDXV6T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,214
NSBC143ZPDXV6T5G
NSBC143ZPDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,034
NSBC144EDP6T5G
NSBC144EDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存8,910
NSBC144EDXV6T1G
NSBC144EDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存29,838
NSBC144EDXV6T5G
NSBC144EDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存3,870
NSBC144EPDP6T5G
NSBC144EPDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存6,894
NSBC144EPDXV6T1
NSBC144EPDXV6T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,958
NSBC144EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存4,428
NSBC144EPDXV6T5
NSBC144EPDXV6T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存5,148
NSBC144EPDXV6T5G
NSBC144EPDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存2,520
NSBC144WDP6T5G
NSBC144WDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 408mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存5,670
NSBC144WDXV6T1G
NSBC144WDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 500mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存4,230
NSBC144WPDP6T5G
NSBC144WPDP6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 339mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存5,328
NSM11156DW6T1G
NSM11156DW6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V, 65V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 230mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存3,852