晶體管

型號	描述	庫存
NSVMUN5333DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存247,368
NSVMUN5333DW1T3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存2,646
NSVMUN5334DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存4,788
NSVMUN5336DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 COMPLEMENTARY DIGITAL TRA 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 187mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存2,772
NSVS50030SB3T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PNP BIPO 50V 3A CPH3 制造商: ON Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,816
NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存5,382
NSVUMC2NT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	庫存6,678
NSVUMC3NT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	庫存5,364
NSVUMC5NT2G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms, 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms, 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	庫存5,184
NUS2401SNT1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 175Ohms, 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 350mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SC-74	庫存3,132
NUS2401SNT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 175Ohms, 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 175Ohms, 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 350mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SC-74	庫存3,544
PBLS1501V,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 280MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-666	庫存92,622
PBLS1501Y,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 280MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-TSSOP	庫存5,490
PBLS1502V,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 280MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-666	庫存4,932
PBLS1502Y,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 280MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-TSSOP	庫存5,058
PBLS1503V,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 280MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-666	庫存2,484
PBLS1503Y,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 280MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-TSSOP	庫存45,744
PBLS1504V,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 280MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-666	庫存8,064
PBLS1504Y,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 280MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-TSSOP	庫存7,254
PBLS2001D,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 185MHz 功率-最大: 600mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存29,910
PBLS2001S,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 1.5W 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,534
PBLS2002D,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 185MHz 功率-最大: 600mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存22,416
PBLS2002S,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 1.5W 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,352
PBLS2003D,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 185MHz 功率-最大: 600mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存6,192
PBLS2003S,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 1.5W 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,052
PBLS2004D,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 185MHz 功率-最大: 600mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存23,280
PBLS2021D,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 130MHz 功率-最大: 760mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存4,788
PBLS2022D,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 130MHz 功率-最大: 760mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存3,528
PBLS2023D,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 130MHz 功率-最大: 760mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存8,406
PBLS2024D,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA 頻率-過渡: 130MHz 功率-最大: 760mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存6,696

NSVMUN5333DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存247,368

NSVMUN5333DW1T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存2,646

NSVMUN5334DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存4,788

NSVMUN5336DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

COMPLEMENTARY DIGITAL TRA

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 187mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存2,772

NSVS50030SB3T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PNP BIPO 50V 3A CPH3

制造商: ON Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,816

NSVTB60BDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存5,382

NSVUMC2NT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)

庫存6,678

NSVUMC3NT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)

庫存5,364

NSVUMC5NT2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms, 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms, 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)

庫存5,184

NUS2401SNT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 175Ohms, 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 350mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SC-74

庫存3,132

NUS2401SNT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 175Ohms, 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 175Ohms, 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 350mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SC-74

庫存3,544

PBLS1501V,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 280MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-666

庫存92,622

PBLS1501Y,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 280MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-TSSOP

庫存5,490

PBLS1502V,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 280MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-666

庫存4,932

PBLS1502Y,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 280MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-TSSOP

庫存5,058

PBLS1503V,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 280MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-666

庫存2,484

PBLS1503Y,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 280MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-TSSOP

庫存45,744

PBLS1504V,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 280MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-666

庫存8,064

PBLS1504Y,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 15V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 280MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-TSSOP

庫存7,254

PBLS2001D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 185MHz
功率-最大: 600mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存29,910

PBLS2001S,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 1.5W
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,534

PBLS2002D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 185MHz
功率-最大: 600mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存22,416

PBLS2002S,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 1.5W
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,352

PBLS2003D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 185MHz
功率-最大: 600mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存6,192

PBLS2003S,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 1.5W
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,052

PBLS2004D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 185MHz
功率-最大: 600mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存23,280

PBLS2021D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 130MHz
功率-最大: 760mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存4,788

PBLS2022D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 130MHz
功率-最大: 760mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存3,528

PBLS2023D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 130MHz
功率-最大: 760mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存8,406

PBLS2024D,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 1.8A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 20V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA, 100nA
頻率-過渡: 130MHz
功率-最大: 760mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存6,696

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