晶體管

型號	描述	庫存
BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存1,809,072
BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存4,752
BSS138W L6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存4,950
BSS138W L6433 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存5,940
BSS138W-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存6,246
BSS139 E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,076
BSS139 E6906 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,420
BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存330,744
BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT223 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存2,556
BSS139L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,898
BSS139L6906HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,802
BSS159N E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,498
BSS159N E6906 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,712
BSS159NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,410
BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 39pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存25,914
BSS159NH6906XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存29,460
BSS159NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,812
BSS159NL6906HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,914
BSS169 E6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,220
BSS169 E6906 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,868
BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存139,098
BSS169H6906XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 10V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,960
BSS169L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,142
BSS169L6906HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,114
BSS192,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560mW (Ta), 12.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89 包裝/箱: TO-243AA	庫存601,248
BSS192,135 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 240V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 560mW (Ta), 12.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-89 包裝/箱: TO-243AA	庫存2,100
BSS192PE6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存5,022
BSS192PE6327T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存8,748
BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存176,844
BSS192PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存5,508

BSS138WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存1,809,072

BSS138WH6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存4,752

BSS138W L6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存4,950

BSS138W L6433

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存5,940

BSS138W-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存6,246

BSS139 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,076

BSS139 E6906

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,420

BSS139H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存330,744

BSS139H6906XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT223

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存2,556

BSS139L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,898

BSS139L6906HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 56µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 76pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,802

BSS159N E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,498

BSS159N E6906

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,712

BSS159NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,410

BSS159NH6327XTSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 39pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存25,914

BSS159NH6906XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存29,460

BSS159NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,812

BSS159NL6906HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 44pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,914

BSS169 E6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,220

BSS169 E6906

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,868

BSS169H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存139,098

BSS169H6906XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 10V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,960

BSS169L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,142

BSS169L6906HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 7V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 68pF @ 25V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,114

BSS192,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89
包裝/箱: TO-243AA

庫存601,248

BSS192,135

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 240V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-89
包裝/箱: TO-243AA

庫存2,100

BSS192PE6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存5,022

BSS192PE6327T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存8,748

BSS192PH6327FTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存176,844

BSS192PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存5,508

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message