晶體管

型號	描述	庫存
BSS192PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存6,372
BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存94,656
BSS205NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,240
BSS209PW Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 580mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.38nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 89.9pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 520mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存6,930
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 115pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 300mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存660,582
BSS209PW L6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 580mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.38nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 89.9pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 300mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存8,748
BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存710,976
BSS214NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,642
BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存25,356
BSS214NW L6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存3,618
BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 346pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存261,420
BSS215PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 346pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,986
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存4,860
BSS223PW L6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存3,600
BSS225 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 131pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存3,852
BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 131pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存34,026
BSS225H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 131pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存2,106
BSS225L6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 131pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存6,120
BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存230,586
BSS306NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,262
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存726,582
BSS308PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,580
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6.3µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存66,708
BSS314PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6.3µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,454
BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存46,572
BSS315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,762
BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 94pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存326,490
BSS316NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 94pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,038
BSS340NWH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL+P-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,338
BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 15µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 657pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT89 包裝/箱: TO-243AA	庫存23,028

BSS192PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 190mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 104pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存6,372

BSS205NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存94,656

BSS205NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,240

BSS209PW

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 580mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.38nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 89.9pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 520mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存6,930

BSS209PWH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 115pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存660,582

BSS209PW L6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 580mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.38nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 89.9pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存8,748

BSS214NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存710,976

BSS214NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,642

BSS214NWH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存25,356

BSS214NW L6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存3,618

BSS215PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 346pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存261,420

BSS215PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 346pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,986

BSS223PWH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存4,860

BSS223PW L6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存3,600

BSS225

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 131pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存3,852

BSS225H6327FTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 131pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存34,026

BSS225H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 131pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存2,106

BSS225L6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 94µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 131pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存6,120

BSS306NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存230,586

BSS306NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,262

BSS308PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存726,582

BSS308PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,580

BSS314PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6.3µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存66,708

BSS314PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6.3µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,454

BSS315PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存46,572

BSS315PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,762

BSS316NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 94pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存326,490

BSS316NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 94pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,038

BSS340NWH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL+P-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,338

BSS606NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 15µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 657pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT89
包裝/箱: TO-243AA

庫存23,028

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