晶體管

型號	描述	庫存
BSS670S2L Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存112,472
BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存232,266
BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,190
BSS670S2LL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,004
BSS7728N Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,830
BSS7728NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,856
BSS7728NH6327XTSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存83,682
BSS7728NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 26µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存8,946
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 0.75V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,732
BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,218
BSS806NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,786
BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 0.75V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存82,614
BSS816NW L6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-SOT323-3 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存3,690
BSS83PE6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,506
BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存1,465,632
BSS83PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,322
BSS84 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 130MA DIE 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 73pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,994
BSS84 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 73pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,529,890
BSS84,215 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存585,708
BSS84-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,392
BSS84-7-F Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存11,017,212
BSS84AK,215 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 1.14W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存731,202
BSS84AK-BR Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.14W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,392
BSS84AKM,315 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 340mW (Ta), 2.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006-3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存86,076
BSS84AKMB,315 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DFN1006B-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存3,744
BSS84AKT,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V SC-75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta), 770mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-75 包裝/箱: SC-75, SOT-416	庫存8,064
BSS84AKVL Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 350mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-236AB 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,502
BSS84AKW,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 260mW (Ta), 830mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存404,412
BSS84AKW-BX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 830mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-70 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存7,560
BSS84_D87Z ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 73pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,488

BSS670S2L

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存112,472

BSS670S2LH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存232,266

BSS670S2LH6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,190

BSS670S2LL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 2.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,004

BSS7728N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,830

BSS7728NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,856

BSS7728NH6327XTSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存83,682

BSS7728NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 26µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存8,946

BSS806NEH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 0.75V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,732

BSS806NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,218

BSS806NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,786

BSS816NWH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 0.75V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存82,614

BSS816NW L6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 2.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-SOT323-3
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存3,690

BSS83PE6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,506

BSS83PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存1,465,632

BSS83PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,322

BSS84

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 130MA DIE

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 73pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,994

BSS84

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 73pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,529,890

BSS84,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存585,708

BSS84-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,392

BSS84-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存11,017,212

BSS84AK,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存731,202

BSS84AK-BR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.14W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,392

BSS84AKM,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 340mW (Ta), 2.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006-3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存86,076

BSS84AKMB,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DFN1006B-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存3,744

BSS84AKT,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V SC-75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta), 770mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-75
包裝/箱: SC-75, SOT-416

庫存8,064

BSS84AKVL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-236AB
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,502

BSS84AKW,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 260mW (Ta), 830mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存404,412

BSS84AKW-BX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 36pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 830mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-70
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存7,560

BSS84_D87Z

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 73pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,488

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