晶體管

型號	描述	庫存
CPH6444-TL-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-CPH 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,652
CPH6444-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-CPH 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,040
CPH6445-TL-W ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-CPH 包裝/箱: SOT-23-6	庫存43,182
CPMF-1200-S080B Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: Z-FET™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90.8nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1915pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 313mW (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存8,046
CPMF-1200-S160B Cree/Wolfspeed	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE 制造商: Cree/Wolfspeed 系列: Z-FET™ FET類型: N-Channel 技術: SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 20V Vgs（最大）: +25V, -5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 928pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 202W (Tj) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存2,052
CSD13201W10 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 462pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1) 包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA	庫存550,482
CSD13202Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 76A 6SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 997pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad	庫存634,356
CSD13302W Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 1.6A 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 862pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DSBGA 包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA	庫存24,900
CSD13302WT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 862pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1) 包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA	庫存5,544
CSD13303W1015 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.65W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存2,106
CSD13306W Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 3.5A 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5) 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存6,768
CSD13306WT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 6DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5) 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存24,594
CSD13380F3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 156pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存58,692
CSD13380F3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 156pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存83,748
CSD13381F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存5,177,952
CSD13381F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存276,498
CSD13383F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 291pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存5,886
CSD13383F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 291pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存140,712
CSD13385F5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 674pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存26,514
CSD13385F5T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs（最大）: 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 674pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存103,896
CSD15380F3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.35V @ 2.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.281nC @ 10V Vgs（最大）: 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10.5pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存267,612
CSD15380F3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.35V @ 2.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.281nC @ 10V Vgs（最大）: 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10.5pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存17,286
CSD15571Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-SON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存3,454
CSD16301Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 6-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-SON 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存323,046
CSD16321Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存1,480,404
CSD16321Q5C Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,290
CSD16322Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 97A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1365pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存22,038
CSD16322Q5C Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 97A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 97A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1365pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SON 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,172
CSD16323Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存575,178
CSD16323Q3C Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SON-EP (3x3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,994

CPH6444-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-CPH
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,652

CPH6444-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 505pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-CPH
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,040

CPH6445-TL-W

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-CPH
包裝/箱: SOT-23-6

庫存43,182

CPMF-1200-S080B

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: Z-FET™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90.8nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1915pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 313mW (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存8,046

CPMF-1200-S160B

Cree/Wolfspeed

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE

制造商: Cree/Wolfspeed
系列: Z-FET™
FET類型: N-Channel
技術: SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 20V
Vgs（最大）: +25V, -5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 928pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 202W (Tj)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存2,052

CSD13201W10

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 462pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1)
包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA

庫存550,482

CSD13202Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 76A 6SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 997pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad

庫存634,356

CSD13302W

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 1.6A

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 862pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DSBGA
包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA

庫存24,900

CSD13302WT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 862pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1)
包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA

庫存5,544

CSD13303W1015

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 715pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.65W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存2,106

CSD13306W

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 3.5A

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5)
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存6,768

CSD13306WT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 6DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5)
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存24,594

CSD13380F3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 156pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存58,692

CSD13380F3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 156pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存83,748

CSD13381F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存5,177,952

CSD13381F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存276,498

CSD13383F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 291pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存5,886

CSD13383F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 291pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存140,712

CSD13385F5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 674pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存26,514

CSD13385F5T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 674pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存103,896

CSD15380F3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.35V @ 2.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.281nC @ 10V
Vgs（最大）: 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10.5pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存267,612

CSD15380F3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.35V @ 2.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.281nC @ 10V
Vgs（最大）: 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10.5pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存17,286

CSD15571Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-SON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存3,454

CSD16301Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 6-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-SON
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存323,046

CSD16321Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存1,480,404

CSD16321Q5C

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,290

CSD16322Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 97A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1365pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存22,038

CSD16322Q5C

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 97A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 97A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1365pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SON
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,172

CSD16323Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存575,178

CSD16323Q3C

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SON-EP (3x3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,994

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