晶體管

型號	描述	庫存
CSD17510Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存21,690
CSD17522Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 87A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 695pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存49,572
CSD17527Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 506pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存300,702
CSD17551Q3A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存99,534
CSD17551Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1272pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存309,876
CSD17552Q3A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2050pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存125,646
CSD17552Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 17A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2050pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,616
CSD17553Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.5A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3252pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存24,564
CSD17555Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,510
CSD17556Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 8-VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.65V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 191W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,560
CSD17556Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.65V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 191W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,334
CSD17559Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存58,176
CSD17559Q5T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,572
CSD17570Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 121nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,834
CSD17570Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 121nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存15,072
CSD17571Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 22A 6SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 468pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-SON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存85,310
CSD17573Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存42,510
CSD17573Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存116,694
CSD17575Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4420pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 108W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存670,145
CSD17575Q3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4420pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 108W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存19,458
CSD17576Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4430pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存19,638
CSD17576Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4430pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,172
CSD17577Q3A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存719,976
CSD17577Q3AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存19,776
CSD17577Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存44,898
CSD17577Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存22,200
CSD17578Q3A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存14,347
CSD17578Q3AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存12,780
CSD17578Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,070
CSD17578Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存13,926

CSD17510Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存21,690

CSD17522Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 87A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 87A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 695pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存49,572

CSD17527Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 506pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存300,702

CSD17551Q3A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存99,534

CSD17551Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1272pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存309,876

CSD17552Q3A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2050pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存125,646

CSD17552Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 17A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2050pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,616

CSD17553Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3252pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存24,564

CSD17555Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,510

CSD17556Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 8-VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.65V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 191W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,560

CSD17556Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.65V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 191W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,334

CSD17559Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存58,176

CSD17559Q5T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,572

CSD17570Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 121nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,834

CSD17570Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 121nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存15,072

CSD17571Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22A 6SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 468pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-SON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存85,310

CSD17573Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存42,510

CSD17573Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存116,694

CSD17575Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4420pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 108W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存670,145

CSD17575Q3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4420pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 108W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存19,458

CSD17576Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4430pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存19,638

CSD17576Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4430pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,172

CSD17577Q3A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存719,976

CSD17577Q3AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存19,776

CSD17577Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存44,898

CSD17577Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存22,200

CSD17578Q3A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存14,347

CSD17578Q3AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存12,780

CSD17578Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,070

CSD17578Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存13,926

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