晶體管

型號	描述	庫存
CSD17304Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 56A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 955pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,076
CSD17305Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,658
CSD17306Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存38,988
CSD17307Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 73A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 73A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存248,046
CSD17308Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 47A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存1,347,594
CSD17308Q3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存132,948
CSD17309Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1440pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存42,330
CSD17310Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1560pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存224,478
CSD17311Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4280pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,786
CSD17312Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5240pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存48,042
CSD17313Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存269,310
CSD17313Q2Q1 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商: 系列: Automotive, AEC-Q100, NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存43,104
CSD17313Q2Q1T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 17W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存8,514
CSD17313Q2T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 5A 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 17W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存22,104
CSD17318Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 30V N CH MOSFET 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 879pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 16W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存2,916
CSD17318Q2T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 879pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 16W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存19,392
CSD17322Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 87A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 695pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,754
CSD17327Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.2mOhm @ 11A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 506pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,100
CSD17381F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.35nC @ 4.5V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存246,372
CSD17381F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.35nC @ 4.5V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存160,176
CSD17382F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 347pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存332,808
CSD17382F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 347pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存112,944
CSD17483F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存1,523,478
CSD17483F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存180,276
CSD17484F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存630,450
CSD17484F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.2nC @ 8V Vgs（最大）: 12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存1,515,954
CSD17501Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2630pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存25,326
CSD17505Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1980pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,714
CSD17506Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存116,904
CSD17507Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 65A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存68,202

CSD17304Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 56A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 955pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,076

CSD17305Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,658

CSD17306Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存38,988

CSD17307Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 73A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 73A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存248,046

CSD17308Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 47A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存1,347,594

CSD17308Q3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存132,948

CSD17309Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1440pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存42,330

CSD17310Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1560pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存224,478

CSD17311Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4280pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,786

CSD17312Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5240pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存48,042

CSD17313Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5A 6SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存269,310

CSD17313Q2Q1

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5A 6SON

制造商:
系列: Automotive, AEC-Q100, NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存43,104

CSD17313Q2Q1T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 17W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存8,514

CSD17313Q2T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5A

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 17W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存22,104

CSD17318Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

30V N CH MOSFET

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 879pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 16W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存2,916

CSD17318Q2T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 879pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 16W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存19,392

CSD17322Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 87A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 87A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 695pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,754

CSD17327Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.2mOhm @ 11A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 506pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,100

CSD17381F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.35nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存246,372

CSD17381F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.35nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存160,176

CSD17382F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 347pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存332,808

CSD17382F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 347pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存112,944

CSD17483F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存1,523,478

CSD17483F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存180,276

CSD17484F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存630,450

CSD17484F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.2nC @ 8V
Vgs（最大）: 12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存1,515,954

CSD17501Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2630pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存25,326

CSD17505Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1980pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,714

CSD17506Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存116,904

CSD17507Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 65A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 65A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存68,202

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