晶體管

型號	描述	庫存
CSD16325Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存39,816
CSD16325Q5C Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,038
CSD16327Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存88,392
CSD16327Q3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 CSD16327Q3T 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存22,704
CSD16340Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存523,854
CSD16340Q3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存17,682
CSD16342Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存18,612
CSD16401Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存42,162
CSD16401Q5T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,580
CSD16403Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存81,288
CSD16404Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 81A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1220pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存166,230
CSD16406Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存101,322
CSD16407Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,456
CSD16407Q5C Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,136
CSD16408Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 113A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,930
CSD16408Q5C Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 113A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 113A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,778
CSD16409Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,870
CSD16410Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,662
CSD16411Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存121,398
CSD16412Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,004
CSD16413Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1780pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,654
CSD16414Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3650pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存23,388
CSD16415Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,552
CSD16415Q5T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs（最大）: +16V, -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 12.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存14,232
CSD16556Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6180pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 191W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存24,012
CSD16570Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,256
CSD16570Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存52,704
CSD17301Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 28A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3480pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存123,264
CSD17302Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 87A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存23,154
CSD17303Q5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs（最大）: +10V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3420pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,856

CSD16325Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存39,816

CSD16325Q5C

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4000pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,038

CSD16327Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存88,392

CSD16327Q3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

CSD16327Q3T

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存22,704

CSD16340Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存523,854

CSD16340Q3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存17,682

CSD16342Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存18,612

CSD16401Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存42,162

CSD16401Q5T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,580

CSD16403Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存81,288

CSD16404Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 81A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1220pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存166,230

CSD16406Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存101,322

CSD16407Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,456

CSD16407Q5C

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2660pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,136

CSD16408Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 113A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,930

CSD16408Q5C

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 113A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 113A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,778

CSD16409Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,870

CSD16410Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,662

CSD16411Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存121,398

CSD16412Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,004

CSD16413Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1780pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,654

CSD16414Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3650pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存23,388

CSD16415Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,552

CSD16415Q5T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +16V, -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4100pF @ 12.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存14,232

CSD16556Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6180pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 191W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存24,012

CSD16570Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,256

CSD16570Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存52,704

CSD17301Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 28A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3480pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存123,264

CSD17302Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 87A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 87A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存23,154

CSD17303Q5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 3V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +10V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3420pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,856

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