晶體管

型號	描述	庫存
IPI120N04S401AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 176nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,708
IPI120N04S4-01M Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,290
IPI120N04S402AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10740pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 158W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,258
IPI120N06S402AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,114
IPI120N06S402AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,894
IPI120N06S403AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,550
IPI120N06S403AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,834
IPI120N06S4H1AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,014
IPI120N06S4H1AKSA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,886
IPI120N08S403AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 223µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 167nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 278W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,858
IPI120N08S404AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 179W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,952
IPI120N10S403AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 180µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,042
IPI120N10S405AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,232
IPI120P04P404AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 340µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14790pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,554
IPI120P04P4L03AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 340µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 234nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3-1 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,020
IPI126N10N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 46µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,718
IPI12CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 83µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4320pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,140
IPI12CNE8N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.6mOhm @ 67A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 83µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,978
IPI139N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,506
IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 60V FET功能: - 功耗（最大值）: 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,604
IPI14N03LA Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,084
IPI16CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,860
IPI16CNE8N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3230pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,694
IPI180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,124
IPI200N15N3 G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,956
IPI200N25N3GAKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,938
IPI22N03S4L15AKSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 31W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,478
IPI25N06S3-25 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 25A TO-262 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1862pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,642
IPI25N06S3L-22 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 25A I2PAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,474
IPI26CN10N G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,086

IPI120N04S401AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 176nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,708

IPI120N04S4-01M

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,290

IPI120N04S402AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10740pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 158W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,258

IPI120N06S402AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,114

IPI120N06S402AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,894

IPI120N06S403AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,550

IPI120N06S403AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,834

IPI120N06S4H1AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,014

IPI120N06S4H1AKSA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,886

IPI120N08S403AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 223µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 167nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 278W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,858

IPI120N08S404AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 179W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,952

IPI120N10S403AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 180µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,042

IPI120N10S405AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,232

IPI120P04P404AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 340µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14790pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,554

IPI120P04P4L03AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 340µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 234nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3-1
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,020

IPI126N10N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 46µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,718

IPI12CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 83µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4320pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,140

IPI12CNE8N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.6mOhm @ 67A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 83µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,978

IPI139N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,506

IPI147N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 60V
FET功能: -
功耗（最大值）: 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,604

IPI14N03LA

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,084

IPI16CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3220pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,860

IPI16CNE8N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 61µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3230pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,694

IPI180N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 33µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,124

IPI200N15N3 G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1820pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,956

IPI200N25N3GAKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 270µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,938

IPI22N03S4L15AKSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 31W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,478

IPI25N06S3-25

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 25A TO-262

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1862pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,642

IPI25N06S3L-22

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 25A I2PAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,474

IPI26CN10N G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 39µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2070pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,086

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