晶體管

型號	描述	庫存
IXFZ140N25T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 100A DE475 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™ HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 445W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DE475 包裝/箱: DE475	庫存4,338
IXFZ520N075T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 465A DE-475 制造商: IXYS 系列: GigaMOS™, TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 465A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 545nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 41000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 600W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DE475 包裝/箱: DE475	庫存3,204
IXKC13N80C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 25V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存4,554
IXKC15N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 900µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存8,352
IXKC19N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存3,780
IXKC20N60C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存3,546
IXKC23N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存4,212
IXKC25N80C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4600pF @ 25V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存8,118
IXKC40N60C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS220™ 包裝/箱: ISOPLUS220™	庫存6,552
IXKF40N60SCD1 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 41A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™ 包裝/箱: i4-Pac™-5 (3 Leads)	庫存6,084
IXKG25N80C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISO264™ 包裝/箱: ISO264™	庫存5,922
IXKH20N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH) 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存7,236
IXKH24N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH) 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存7,308
IXKH30N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 10V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH) 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存7,740
IXKH35N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH) 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack	庫存4,572
IXKH47N60C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 650nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,344
IXKH70N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,832
IXKK85N60C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 650nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-264A 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA	庫存6,636
IXKN40N60C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,164
IXKN45N80C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 74mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 360nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 380W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存7,092
IXKN75N60C IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 500nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 560W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227B 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存4,248
IXKP10N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 340µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,712
IXKP10N60C5M IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 340µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220ABFP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存2,178
IXKP13N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,992
IXKP13N60C5M IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220ABFP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存7,218
IXKP20N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,898
IXKP20N60C5M IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220ABFP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存2,412
IXKP24N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,184
IXKP24N60C5M IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220ABFP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存3,454
IXKP35N60C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,794

IXFZ140N25T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 100A DE475

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™ HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 445W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DE475
包裝/箱: DE475

庫存4,338

IXFZ520N075T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 465A DE-475

制造商: IXYS
系列: GigaMOS™, TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 465A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 545nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 41000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DE475
包裝/箱: DE475

庫存3,204

IXKC13N80C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 25V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存4,554

IXKC15N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 900µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存8,352

IXKC19N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存3,780

IXKC20N60C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存3,546

IXKC23N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存4,212

IXKC25N80C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4600pF @ 25V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存8,118

IXKC40N60C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS220™
包裝/箱: ISOPLUS220™

庫存6,552

IXKF40N60SCD1

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 41A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™
包裝/箱: i4-Pac™-5 (3 Leads)

庫存6,084

IXKG25N80C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 25A ISO264

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISO264™
包裝/箱: ISO264™

庫存5,922

IXKH20N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH)
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存7,236

IXKH24N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH)
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存7,308

IXKH30N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 10V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH)
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存7,740

IXKH35N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH)
包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack

庫存4,572

IXKH47N60C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 650nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,344

IXKH70N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AD (IXKH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,832

IXKK85N60C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 85A TO-264

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 650nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-264A
包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

庫存6,636

IXKN40N60C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,164

IXKN45N80C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 74mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 360nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 380W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存7,092

IXKN75N60C

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 500nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 560W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227B
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存4,248

IXKP10N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 340µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,712

IXKP10N60C5M

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 340µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220ABFP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存2,178

IXKP13N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,992

IXKP13N60C5M

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 440µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220ABFP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存7,218

IXKP20N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,898

IXKP20N60C5M

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 1.1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1520pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220ABFP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存2,412

IXKP24N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,184

IXKP24N60C5M

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 790µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220ABFP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存3,454

IXKP35N60C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,794

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