晶體管

型號	描述	庫存
IXTH240N15X4 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 240A TO-247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 940W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,848
IXTH24N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 制造商: IXYS 系列: MegaMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,138
IXTH24N50L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 500mA, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 20V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,064
IXTH24N65X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 390W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,010
IXTH24P20 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD 制造商: IXYS 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,380
IXTH250N075T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 250A TO-247 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,462
IXTH260N055T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 260A TO-247 制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 480W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,798
IXTH26N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 26A TO-247 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,546
IXTH26P20P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 26A TO-247 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2740pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,478
IXTH270N04T4 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 270A 制造商: IXYS 系列: TrenchT4™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 182nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,136
IXTH280N055T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,562
IXTH2N150L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 1A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 8.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 20V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 290W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,948
IXTH2N170D2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3650pF @ 10V FET功能: Depletion Mode 功耗（最大值）: 568W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,052
IXTH2N300P3HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 3000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 520W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247HV 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存4,950
IXTH2R4N120P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 制造商: IXYS 系列: Polar™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1207pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,508
IXTH300N04T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 300A TO-247 制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 480W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,838
IXTH30N25 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,662
IXTH30N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商: IXYS 系列: MegaMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 227nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,118
IXTH30N50L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,014
IXTH30N50L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,148
IXTH30N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,388
IXTH30N60L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 335nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,380
IXTH30N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,540
IXTH32N65X IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 32A TO-247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2205pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,346
IXTH32P20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 32A TO-247 制造商: IXYS 系列: TrenchP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,526
IXTH340N04T4 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 340A 制造商: IXYS 系列: TrenchT4™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 340A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 256nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 480W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,524
IXTH34N65X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 34A TO-247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3120pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,276
IXTH360N055T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 制造商: IXYS 系列: TrenchT2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 935W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,942
IXTH36N20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 36A TO-247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,286
IXTH36N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH) 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,934

IXTH240N15X4

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 240A TO-247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 940W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,848

IXTH24N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

制造商: IXYS
系列: MegaMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,138

IXTH24N50L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 500mA, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 160nC @ 20V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,064

IXTH24N65X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 390W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,010

IXTH24P20

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,380

IXTH250N075T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 250A TO-247

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,462

IXTH260N055T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 260A TO-247

制造商: IXYS
系列: TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,798

IXTH26N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 26A TO-247

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,546

IXTH26P20P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 26A TO-247

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2740pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,478

IXTH270N04T4

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 270A

制造商: IXYS
系列: TrenchT4™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 182nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,136

IXTH280N055T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 280A TO-247

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,562

IXTH2N150L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 1A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 8.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 20V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 290W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,948

IXTH2N170D2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tj)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3650pF @ 10V
FET功能: Depletion Mode
功耗（最大值）: 568W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,052

IXTH2N300P3HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 3000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 520W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247HV
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存4,950

IXTH2R4N120P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247

制造商: IXYS
系列: Polar™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1207pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,508

IXTH300N04T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 300A TO-247

制造商: IXYS
系列: TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,838

IXTH30N25

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 30A TO-247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 136nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,662

IXTH30N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

制造商: IXYS
系列: MegaMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 227nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,118

IXTH30N50L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,014

IXTH30N50L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,148

IXTH30N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,388

IXTH30N60L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 335nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,380

IXTH30N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,540

IXTH32N65X

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 32A TO-247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2205pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,346

IXTH32P20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 32A TO-247

制造商: IXYS
系列: TrenchP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,526

IXTH340N04T4

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 340A

制造商: IXYS
系列: TrenchT4™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 340A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 256nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,524

IXTH34N65X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 34A TO-247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3120pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,276

IXTH360N055T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 360A TO-247

制造商: IXYS
系列: TrenchT2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 360A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 935W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,942

IXTH36N20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 36A TO-247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,286

IXTH36N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 36A TO-247

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,934

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