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晶體管

記錄 64,903
頁面 1533/2164
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型號
描述
庫存
數量
IXTH36P10
IXTH36P10

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 36A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 36A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 95nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2800pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 180W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存7,560
IXTH36P15P
IXTH36P15P

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 36A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: PolarP™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 150V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 36A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3100pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存7,974
IXTH3N100P
IXTH3N100P

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: PolarVHV™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 1000V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 39nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1100pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 125W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存6,462
IXTH3N120
IXTH3N120

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 1200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 39nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1300pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 200W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存8,064
IXTH3N150
IXTH3N150

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 1500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 38.6nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1375pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 250W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存7,146
IXTH3N200P3HV

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 2000V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1860pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 520W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存6,348
IXTH40N30
IXTH40N30

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD

  • 制造商: IXYS
  • 系列: MegaMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 300V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 40A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 220nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4600pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存8,676
IXTH40N50L2

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 40A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: Linear L2™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 40A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 320nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 10400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 540W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存7,308
IXTH41N25
IXTH41N25

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 250V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 41A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 72mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存2,196
IXTH420N04T2

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 420A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: TrenchT2™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 420A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 315nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 19700pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 935W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存2,106
IXTH440N055T2

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 440A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: TrenchT2™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 440A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 405nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 25000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1000W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存5,724
IXTH44N30T
IXTH44N30T

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 44A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 300V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 44A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存7,722
IXTH44P15T
IXTH44P15T

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V 44A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: TrenchP™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 150V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 44A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 175nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±15V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 13400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 298W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存2,934
IXTH450P2
IXTH450P2

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 16A TO247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: PolarP2™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 16A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 43nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2530pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存6,636
IXTH460P2
IXTH460P2

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: PolarP2™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 24A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 48nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2890pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 480W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存2,880
IXTH48N15
IXTH48N15

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 48A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 150V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 48A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 180W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存6,174
IXTH48N20
IXTH48N20

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 48A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 48A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 275W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存2,826
IXTH48N20T
IXTH48N20T

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 48A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 48A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 275W (Tc)
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存3,598
IXTH48N65X2

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 48A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 48A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 4mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 77nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4420pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 660W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存5,796
IXTH48P20P
IXTH48P20P

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 48A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: PolarP™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 48A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 103nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 462W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存22,320
IXTH4N150
IXTH4N150

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 1500V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 44.5nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1576pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 280W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存2,160
IXTH500N04T2

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 500A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: TrenchT2™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 500A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 405nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 25000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 1000W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存4,662
IXTH50N20
IXTH50N20

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD

  • 制造商: IXYS
  • 系列: MegaMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 220nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4600pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存6,372
IXTH50N25T
IXTH50N25T

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 50A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 250V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 78nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4000pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 400W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存3,474
IXTH50N30
IXTH50N30

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 50A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 300V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 65mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 165nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4400pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 400W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存2,898
IXTH50P085
IXTH50P085

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 85V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 150nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4200pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存7,398
IXTH50P10
IXTH50P10

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 50A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4350pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存6,216
IXTH52N65X
IXTH52N65X

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 52A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 650V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 52A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 68mOhm @ 26A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 113nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±30V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4350pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 660W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存7,146
IXTH52P10P
IXTH52P10P

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 52A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: PolarP™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 52A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2845pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 300W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存5,184
IXTH54N30T
IXTH54N30T

IXYS

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 54A TO-247

  • 制造商: IXYS
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 300V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 54A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-247 (IXTH)
  • 包裝/箱: TO-247-3
庫存8,496