晶體管

型號	描述	庫存
IXTV30N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存2,196
IXTV30N60PS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存3,492
IXTV36N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存7,632
IXTV36N50PS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 540W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存4,518
IXTV60N30T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存3,168
IXTV72N30T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存8,082
IXTV96N25T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220 制造商: IXYS 系列: TrenchHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 96A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 625W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存3,618
IXTV98N20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 98A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存2,124
IXTX102N65X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 102A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,180
IXTX110N20L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 500nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,830
IXTX120N65X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,300
IXTX120P20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 制造商: IXYS 系列: TrenchP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 740nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 73000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,232
IXTX170P10P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,084
IXTX17N120L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,074
IXTX1R4N450HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 4500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247PLUS-HV 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存8,514
IXTX200N10L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,754
IXTX20N150 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 215nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存201
IXTX210P10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247 制造商: IXYS 系列: TrenchP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 740nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 69500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1040W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,250
IXTX22N100L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,740
IXTX240N075L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 120A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 546nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,798
IXTX24N100 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 267nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 568W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,834
IXTX32P60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 196nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存3,258
IXTX400N15X4 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™ 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,496
IXTX40P50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247 制造商: IXYS 系列: PolarP™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 890W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,200
IXTX46N50L IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 15V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 700W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,212
IXTX4N300P3HV IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 3000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247PLUS-HV 包裝/箱: TO-247-3 Variant	庫存7,224
IXTX550N055T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247 制造商: IXYS 系列: FRFET®, SupreMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 595nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,012
IXTX5N250 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,316
IXTX600N04T2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247 制造商: IXYS 系列: FRFET®, SupreMOS® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 590nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,106
IXTX60N50L2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247 制造商: IXYS 系列: Linear L2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 610nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 960W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS247™-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,932

IXTV30N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存2,196

IXTV30N60PS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存3,492

IXTV36N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存7,632

IXTV36N50PS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 540W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存4,518

IXTV60N30T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存3,168

IXTV72N30T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存8,082

IXTV96N25T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220

制造商: IXYS
系列: TrenchHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 96A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 625W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存3,618

IXTV98N20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 98A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存2,124

IXTX102N65X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 102A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,180

IXTX110N20L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 500nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,830

IXTX120N65X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,300

IXTX120P20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247

制造商: IXYS
系列: TrenchP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 740nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 73000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,232

IXTX170P10P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,084

IXTX17N120L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,074

IXTX1R4N450HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 4500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247PLUS-HV
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存8,514

IXTX200N10L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,754

IXTX20N150

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 215nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存201

IXTX210P10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247

制造商: IXYS
系列: TrenchP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 210A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 740nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 69500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1040W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,250

IXTX22N100L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,740

IXTX240N075L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 120A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 546nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,798

IXTX24N100

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 267nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 568W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,834

IXTX32P60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 196nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存3,258

IXTX400N15X4

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 430nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,496

IXTX40P50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247

制造商: IXYS
系列: PolarP™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 205nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 890W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,200

IXTX46N50L

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 20V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 15V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,212

IXTX4N300P3HV

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 3000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247PLUS-HV
包裝/箱: TO-247-3 Variant

庫存7,224

IXTX550N055T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247

制造商: IXYS
系列: FRFET®, SupreMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 595nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,012

IXTX5N250

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,316

IXTX600N04T2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247

制造商: IXYS
系列: FRFET®, SupreMOS®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 590nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,106

IXTX60N50L2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247

制造商: IXYS
系列: Linear L2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 610nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS247™-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,932

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