晶體管

型號	描述	庫存
IXTU5N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,154
IXTU64N055T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 64A TO-251 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,814
IXTU8N70X2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存6,984
IXTV02N250S IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 116pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存8,892
IXTV03N400S IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 4000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 130W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存5,400
IXTV102N20T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220 制造商: IXYS 系列: TrenchHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 102A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 750W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存3,492
IXTV102N25T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 102A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存5,202
IXTV110N25TS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 157nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 694W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存2,340
IXTV120N15T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存5,040
IXTV130N15T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存3,132
IXTV18N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存6,786
IXTV18N60PS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存3,330
IXTV200N10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存3,690
IXTV200N10TS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存5,004
IXTV22N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2630pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 350W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存4,518
IXTV22N50PS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2630pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 350W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存3,420
IXTV22N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存2,718
IXTV22N60PS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存4,122
IXTV230N085T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存8,910
IXTV230N085TS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存5,472
IXTV250N075T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存3,042
IXTV250N075TS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存3,816
IXTV26N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存7,128
IXTV26N50PS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存2,448
IXTV26N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存2,052
IXTV26N60PS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存5,868
IXTV280N055T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存8,460
IXTV280N055TS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 550W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存4,518
IXTV30N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PLUS220 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存2,556
IXTV30N50PS IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD 制造商: IXYS 系列: PolarHV™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 460W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PLUS-220SMD 包裝/箱: PLUS-220SMD	庫存5,940

IXTU5N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,154

IXTU64N055T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 64A TO-251

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,814

IXTU8N70X2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存6,984

IXTV02N250S

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 2500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 116pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存8,892

IXTV03N400S

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 4000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 130W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存5,400

IXTV102N20T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220

制造商: IXYS
系列: TrenchHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 102A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存3,492

IXTV102N25T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 102A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存5,202

IXTV110N25TS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 157nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 694W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存2,340

IXTV120N15T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存5,040

IXTV130N15T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 130A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存3,132

IXTV18N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存6,786

IXTV18N60PS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存3,330

IXTV200N10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存3,690

IXTV200N10TS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存5,004

IXTV22N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2630pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存4,518

IXTV22N50PS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2630pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 350W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存3,420

IXTV22N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存2,718

IXTV22N60PS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存4,122

IXTV230N085T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存8,910

IXTV230N085TS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 230A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存5,472

IXTV250N075T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存3,042

IXTV250N075TS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存3,816

IXTV26N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存7,128

IXTV26N50PS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存2,448

IXTV26N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存2,052

IXTV26N60PS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存5,868

IXTV280N055T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存8,460

IXTV280N055TS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存4,518

IXTV30N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PLUS220
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存2,556

IXTV30N50PS

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD

制造商: IXYS
系列: PolarHV™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 460W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PLUS-220SMD
包裝/箱: PLUS-220SMD

庫存5,940

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