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晶體管

記錄 64,903
頁面 1667/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
PSMN165-200K,518
PSMN165-200K,518

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 200V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.9A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 165mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1330pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 3.5W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 8-SO
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
庫存3,114
PSMN1R0-25YLDX
PSMN1R0-25YLDX

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 0.89mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 71.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5308pF @ 12V
  • FET功能: Schottky Diode (Body)
  • 功耗(最大值): 160W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存5,040
PSMN1R0-30YLC,115

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.95V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 103.5nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 6645pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 272W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存118,752
PSMN1R0-30YLDX
PSMN1R0-30YLDX

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 2mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 121.35nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 8598pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 238W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存6,426
PSMN1R0-40SSHJ
PSMN1R0-40SSHJ

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

PSMN1R0-40SSH/SOT1235/LFPAK88

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 325A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 3.6V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 137nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 10322pF @ 25V
  • FET功能: Schottky Diode (Body)
  • 功耗(最大值): 375W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK88 (SOT1235)
  • 包裝/箱: SOT-1235
庫存7,794
PSMN1R0-40ULDX
PSMN1R0-40ULDX

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 280A
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 127nC @ 10V
  • Vgs(最大): -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 164W
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SOT-1023, 4-LFPAK
庫存4,698
PSMN1R0-40YLDX
PSMN1R0-40YLDX

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 127nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 8845pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 198W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存150,066
PSMN1R1-25YLC,115

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.95V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 83nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5287pF @ 12V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 215W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存100,182
PSMN1R1-30EL,127
PSMN1R1-30EL,127

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 120A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 243nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 14850pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 338W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I2PAK
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存32,010
PSMN1R1-30PL,127
PSMN1R1-30PL,127

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 120A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 243nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 14850pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 338W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存14,826
PSMN1R1-40BS,118
PSMN1R1-40BS,118

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 120A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 136nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 9710pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 306W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存96,132
PSMN1R2-25YL,115
PSMN1R2-25YL,115

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.15V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 105nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 6380pF @ 12V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 121W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SOT-1023, 4-LFPAK
庫存301,782
PSMN1R2-25YLC,115

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.95V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 66nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4173pF @ 12V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 179W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存97,662
PSMN1R2-25YLDX
PSMN1R2-25YLDX

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 60.3nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4327pF @ 12V
  • FET功能: Schottky Diode (Body)
  • 功耗(最大值): 172W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存5,598
PSMN1R2-30YLC,115

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.95V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 78nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5093pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 215W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存280,920
PSMN1R2-30YLDX
PSMN1R2-30YLDX

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 300A 56LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4616pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 194W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存36,948
PSMN1R3-30YL,115
PSMN1R3-30YL,115

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.3mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.15V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 6227pF @ 12V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 121W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SOT-1023, 4-LFPAK
庫存28,728
PSMN1R4-30YLDX
PSMN1R4-30YLDX

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 54.8nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 3840pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 166W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存22,116
PSMN1R4-40YLDX
PSMN1R4-40YLDX

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 96nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 6661pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 238W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存95,892
PSMN1R5-25YL,115
PSMN1R5-25YL,115

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.15V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 76nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4830pF @ 12V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 109W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存59,970
PSMN1R5-30BLEJ
PSMN1R5-30BLEJ

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 120A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.15V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 228nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 14934pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 401W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存38,418
PSMN1R5-30YL,115
PSMN1R5-30YL,115

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.15V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 77.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5057pF @ 12V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 109W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存13,926
PSMN1R5-30YLC,115

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.95V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 4044pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 179W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SC-100, SOT-669
庫存14,556
PSMN1R5-40ES,127
PSMN1R5-40ES,127

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 120A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 136nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 9710pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 338W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: I2PAK
  • 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
庫存4,644
PSMN1R5-40PS,127
PSMN1R5-40PS,127

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 120A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 136nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 9710pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 338W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存62,898
PSMN1R6-30BL,118
PSMN1R6-30BL,118

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.15V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 212nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 12493pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 306W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: D2PAK
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
庫存27,390
PSMN1R6-30MLHX
PSMN1R6-30MLHX

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

PSMN1R6-30MLH/SOT1210/MLFPAK

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 160A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 41nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 2.369nF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 106W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK33
  • 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33
庫存4,266
PSMN1R6-30PL,127
PSMN1R6-30PL,127

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.15V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 212nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 12493pF @ 12V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 306W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 供應商設備包裝: TO-220AB
  • 包裝/箱: TO-220-3
庫存31,038
PSMN1R6-40YLC:115

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A POWERSO8-4

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.95V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 126nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 7790pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 288W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SOT-1023, 4-LFPAK
庫存3,510
PSMN1R6-40YLC,115

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 100A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.95V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 126nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 7790pF @ 20V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 288W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
  • 包裝/箱: SOT-1023, 4-LFPAK
庫存2,664