晶體管

型號	描述	庫存
PSMN1R6-60CLJ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,052
PSMN1R7-25YLC,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3735pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 164W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存7,254
PSMN1R7-25YLDX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3415pF @ 12V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 135W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存15,936
PSMN1R7-30YL,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5057pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 109W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存3,996
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9997pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 306W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存21,816
PSMN1R8-30BL,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10180pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 270W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存5,958
PSMN1R8-30PL,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10180pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 270W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存26,436
PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6680pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 272W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存659,514
PSMN1R9-25YLC,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.05mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3504pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 141W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存4,698
PSMN1R9-40PLQ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 150A SOT78 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 349W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存37,320
PSMN2R0-25MLDX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2490pF @ 12V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存8,982
PSMN2R0-25YLDX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2485pF @ 12V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 115W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存25,530
PSMN2R0-30BL,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6810pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 211W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,912
PSMN2R0-30PL,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6810pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 211W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存27,864
PSMN2R0-30YL,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 97W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存273,366
PSMN2R0-30YLDX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2969pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 142W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存15,696
PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5217pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 272W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存38,994
PSMN2R0-60ES,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9997pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 338W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存45,990
PSMN2R0-60PS,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9997pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 338W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存51,690
PSMN2R0-60PSRQ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 192nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 338W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,154
PSMN2R1-40PLQ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 150A TO-220 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87.8nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9584pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 293W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,148
PSMN2R1-60CSJ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,202
PSMN2R2-25YLC,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2542pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 106W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存56,340
PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3310pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 141W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存272,274
PSMN2R2-40BS,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8423pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 306W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,960
PSMN2R2-40PS,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8423pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 306W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存54,036
PSMN2R4-30MLDX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3264pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 91W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存81,138
PSMN2R4-30YLDX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2256pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 106W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存34,260
PSMN2R5-30YL,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3468pF @ 12V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存3,888
PSMN2R5-60PLQ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 223nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 349W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,590

PSMN1R6-60CLJ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,052

PSMN1R7-25YLC,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3735pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 164W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存7,254

PSMN1R7-25YLDX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3415pF @ 12V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 135W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存15,936

PSMN1R7-30YL,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5057pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 109W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存3,996

PSMN1R7-60BS,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9997pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 306W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存21,816

PSMN1R8-30BL,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10180pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 270W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存5,958

PSMN1R8-30PL,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10180pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 270W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存26,436

PSMN1R8-40YLC,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6680pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 272W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存659,514

PSMN1R9-25YLC,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.05mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3504pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 141W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存4,698

PSMN1R9-40PLQ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 150A SOT78

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 349W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存37,320

PSMN2R0-25MLDX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2490pF @ 12V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存8,982

PSMN2R0-25YLDX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2485pF @ 12V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 115W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存25,530

PSMN2R0-30BL,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6810pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 211W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,912

PSMN2R0-30PL,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6810pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 211W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存27,864

PSMN2R0-30YL,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 97W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存273,366

PSMN2R0-30YLDX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2969pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 142W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存15,696

PSMN2R0-30YLE,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5217pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 272W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存38,994

PSMN2R0-60ES,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9997pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 338W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存45,990

PSMN2R0-60PS,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 137nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9997pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 338W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存51,690

PSMN2R0-60PSRQ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 192nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13500pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 338W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,154

PSMN2R1-40PLQ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 150A TO-220

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87.8nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9584pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 293W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,148

PSMN2R1-60CSJ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,202

PSMN2R2-25YLC,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2542pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 106W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存56,340

PSMN2R2-30YLC,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3310pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 141W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存272,274

PSMN2R2-40BS,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8423pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 306W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,960

PSMN2R2-40PS,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8423pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 306W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存54,036

PSMN2R4-30MLDX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3264pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 91W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存81,138

PSMN2R4-30YLDX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2256pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 106W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存34,260

PSMN2R5-30YL,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3468pF @ 12V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存3,888

PSMN2R5-60PLQ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 223nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 349W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,590

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