晶體管

型號	描述	庫存
PSMN016-100YS,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2744pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 117W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存15,678
PSMN017-30BL,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 552pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存13,242
PSMN017-30EL,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 552pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存25,122
PSMN017-30LL,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH QFN3333 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 526pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN3333 (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad	庫存2,466
PSMN017-30PL,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 552pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存245,436
PSMN017-60YS,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1172pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存514,374
PSMN017-80BS,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1573pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 103W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存24,198
PSMN017-80PS,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1573pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 103W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存36,642
PSMN018-100ESFQ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1482pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 111W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-220-3, Short Tab	庫存7,326
PSMN018-100PSFQ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1482pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 111W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,816
PSMN018-80YS,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存297,786
PSMN019-100YLX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V LFPAK56 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5085pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存7,074
PSMN020-100YS,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 106W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存67,848
PSMN020-150W,127 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 73A SOT429 制造商: NXP USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 73A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 227nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9537pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,698
PSMN020-30MLCX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存6,606
PSMN021-100YLX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V LFPAK56 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4640pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 147W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存84,282
PSMN022-30BL,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.6mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存59,658
PSMN022-30PL,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存138,282
PSMN023-40YLCX NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存8,388
PSMN023-80LS,115 NXP	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1295pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN3333 (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad	庫存3,132
PSMN025-100D,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 47A DPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存328,752
PSMN025-80YLX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V LFPAK56 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.1nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2703pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 95W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存16,674
PSMN026-80YS,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存177,066
PSMN027-100BS,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1624pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 103W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存42,210
PSMN027-100PS,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1624pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 103W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存258,252
PSMN027-100XS,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.8mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1624pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 41.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	庫存3,852
PSMN028-100YS,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1634pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存263,052
PSMN030-150B,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,222
PSMN030-150P,127 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: TrenchMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,086
PSMN030-60YS,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 686pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 56W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存61,362

PSMN016-100YS,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2744pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 117W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存15,678

PSMN017-30BL,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 552pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存13,242

PSMN017-30EL,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 552pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存25,122

PSMN017-30LL,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH QFN3333

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 526pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad

庫存2,466

PSMN017-30PL,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 552pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存245,436

PSMN017-60YS,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1172pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存514,374

PSMN017-80BS,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1573pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 103W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存24,198

PSMN017-80PS,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1573pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 103W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存36,642

PSMN018-100ESFQ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1482pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 111W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-220-3, Short Tab

庫存7,326

PSMN018-100PSFQ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 53A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1482pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 111W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,816

PSMN018-80YS,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存297,786

PSMN019-100YLX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V LFPAK56

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5085pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存7,074

PSMN020-100YS,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2210pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 106W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存67,848

PSMN020-150W,127

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 73A SOT429

制造商: NXP USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 73A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 227nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9537pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,698

PSMN020-30MLCX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 430pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存6,606

PSMN021-100YLX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V LFPAK56

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4640pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 147W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存84,282

PSMN022-30BL,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.6mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存59,658

PSMN022-30PL,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.15V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 447pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存138,282

PSMN023-40YLCX

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存8,388

PSMN023-80LS,115

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1295pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad

庫存3,132

PSMN025-100D,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 47A DPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存328,752

PSMN025-80YLX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V LFPAK56

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.1nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2703pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 95W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存16,674

PSMN026-80YS,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存177,066

PSMN027-100BS,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1624pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 103W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存42,210

PSMN027-100PS,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1624pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 103W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存258,252

PSMN027-100XS,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.8mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1624pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 41.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

庫存3,852

PSMN028-100YS,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1634pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存263,052

PSMN030-150B,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,222

PSMN030-150P,127

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: TrenchMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,086

PSMN030-60YS,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 686pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 56W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存61,362

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