晶體管

2N4923

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A TO-126

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 30W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126

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2N4923G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 1A TO225AA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 500mA, 1V
• 功率-最大: 30W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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2N4930

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N4931

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N4953

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N4953_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N497

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N498

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5000

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5001

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5002

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5003

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5004

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5005

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5010

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5011

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5012

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 25mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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2N5012S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/727
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 5mA, 25mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 25mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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2N5013

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 800V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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2N5013S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/727
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 800V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 5mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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2N5014

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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2N5014S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/727
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 5mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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2N5015

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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2N5015S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/727
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 5mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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2N5038

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 5A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 140W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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2N5038G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 90V 20A TO3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 5A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 12A, 5V
• 功率-最大: 140W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204 (TO-3)

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2N5039

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 75V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 5A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 140W
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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2N5039

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5050

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5051

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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