晶體管

型號	描述	庫存
2N5052 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-單 NPN SILICON TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,896
2N5058 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 300V 0.15A TO-39 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 3mA, 30mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 30mA, 25V 功率-最大: 1mW 頻率-過渡: 160MHz 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存8,640
2N5086 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V 功率-最大: 1.5W 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,336
2N5086BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,056
2N5086TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,472
2N5086TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,514
2N5086TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,914
2N5086TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,812
2N5087 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,664
2N5087 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.05A TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存52,758
2N5087BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,286
2N5087G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.05A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,888
2N5087_J18Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,244
2N5087_J61Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,934
2N5087RLRA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.05A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,156
2N5087RLRAG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.05A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,724
2N5087_S00Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,616
2N5087TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,340
2N5087TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,642
2N5087TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,418
2N5087TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 40MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,734
2N5088 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,632
2N5088 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存39,450
2N5088BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,004
2N5088_D11Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,050
2N5088_D81Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,880
2N5088G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,664
2N5088_J61Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,922
2N5088RLRA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,066
2N5088RLRAG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,024

2N5052

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,896

2N5058

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.15A TO-39

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 3mA, 30mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 30mA, 25V
功率-最大: 1mW
頻率-過渡: 160MHz
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存8,640

2N5086

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V
功率-最大: 1.5W
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,336

2N5086BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,056

2N5086TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,472

2N5086TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,514

2N5086TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,914

2N5086TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,812

2N5087

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,664

2N5087

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.05A TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存52,758

2N5087BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,286

2N5087G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.05A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,888

2N5087_J18Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,244

2N5087_J61Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,934

2N5087RLRA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.05A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,156

2N5087RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.05A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,724

2N5087_S00Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,616

2N5087TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,340

2N5087TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,642

2N5087TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,418

2N5087TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 40MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,734

2N5088

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,632

2N5088

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存39,450

2N5088BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,004

2N5088_D11Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,050

2N5088_D81Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,880

2N5088G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,664

2N5088_J61Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,922

2N5088RLRA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,066

2N5088RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,024

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