晶體管

2N5088TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5088TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5088TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5088TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92

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2N5089BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089_J18Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089RLRA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5089TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2N5091

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5092

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5093

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5095

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-5

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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2N5097

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-5

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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2N5099

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-5

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 800V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 4W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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2N5134

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-106

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-106-3 Domed
• 供應商設備包裝: TO-106

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2N5139

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-106

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5143

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR NPN TO-106

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 1V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-222AA, TO-105-3 Domed
• 供應商設備包裝: TO-105

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2N5151

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5151L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5152

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5152L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5154

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N5154L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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